第5章导体存储器.pptVIP

第五章主存储器;本章主要内容;5.1 存储器概述;存储器的分类;2、按存取方式分类;半导体存储器的分类 ;静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） ;存储器的性能指标; 存取时间;存储系统的分级结构;三级存储器结构：;半导体存储器的特点 在RAM中，又可以分为双极型（Bipolar）和MOS RAM两大类。 1．双极型RAM的特点 （1）存取速度高。 （2）以晶体管的触发器（F-F——Flip-Flop）作为基本存储电路，故管子较多。 （3）集成度较低（与MOS相比）。 （4）功耗大。 （5）成本高。所以，双极型RAM主要用在速度要求较高的微型机中或作为cache。;2．MOS RAM 用MOS器件构成的RAM，又可分为静态（Static）RAM（有时用SRAM表示）和动态（Dynamic）RAM（有时用DRAM表示）、不挥发型RAM三种。 （1）静态RAM的特点 ① 6管构成的触发器作为基本存储电路。 ② 集成度高于双极型，但低于动态RAM。 ③ 不需要刷新，故可省去刷新电路。 ;④ 功耗比双极型的低，但比动态RAM高。 ⑤ 易于用电池作为后备电源（RAM的一个重大问题是当电源去掉后，RAM中的信息就会丢失。为了解决这个问题，就要求当交流电源掉电时，能自动地转换到一个用电池供电的低压后备电源，以保持RAM中的信息）。 ⑥ 存取速度较动态RAM快。 ;（2）动态RAM的特点 ① 基本存储电路用单管线路组成（靠电容存储电荷）。 ② 集成度高。 ③ 比静态RAM的功耗更低。 ⑤ 价格比静态便宜。 ⑥ 因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在着泄漏电流，故需要定时刷新。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。;ROM的特点 ROM只读存储器的存储单元中的信息可一次写入多次读出 1．掩模ROM 早期的ROM由半导体厂按照某种固定线路制造的，制造好以后就只能读不能改变。 2．可编程序的只读存储器PROM（Programmable ROM） 为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能写一次。;3．可擦去的可编程只读存储器EPROM（Erasable PROM） 为了适应科研工作的需要，希望ROM能根据需要写，也希望能把已写上去的内容擦去，然后再写，能改写多次。EPROM就是这样的一种存储器。EPROM的写入速度较慢，而且需要一些额外条件，故使用时仍作为只读存储器来用。 只读存储器电路比RAM简单，故而集成度更高，成本更低。而且有一重大优点，就是当电源去掉以后，它的信息是不丢失的。 随着应用的发展，ROM也在不断发展，目前常用的还有电可擦除的可编程ROM及新一代可擦除ROM（闪烁存储器）等。;5.2 半导体随机读写存储器;一、基本结构及组成;1、存储矩阵;例：存储芯片容量为：1024K×4 地址线：20根 （1024K＝220） 数据线：4根 例：存储芯片容量为：1024K×8 地址线：20根 （1024K＝ 220 ） 数据线：8根 ; 2K×1： ;单译码结构 双译码结构 双译码可简化芯片设计 主要采用的译码结构;译码器;X 地 址 译 码 器;3、存储器控制逻辑;SRAM的基本存储单元是双稳态触发器电路 速度快（5ns），不需刷新，外围电路比较简单，但集成度低（存储容量小，约1Mbit/片），功耗大。 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵： 每个存储单元存放多位（4、8、16等） 每个存储单元具有一个地址;SRAM芯片6264;控制真值表 WE CE1 CE2 OE 方式 I/O0～I/O7 X H X X 未选中 高阻 X X L X 未选中 高阻 H L H H 输出禁止 高阻 H L H L 读 OUT L L H X 写 IN;2、动态RAM;2164动态RAM;2164引脚排列及功能;5.3 半导体只读存储器;一、只读存储器的结构及分类;掩膜编程的ROM （Mask Programmed ROM）;二、可擦除EPROM1.光擦除EPROM 2732;2. 电擦除可编程 EEPROM;EEPROM芯片28C64;;5.4 主存储器系统设计;1、位并联法;例：用16K×1组成16K×8的存储器。（设CPU地址线为16根）;扩充方法 ;例：由16K×8 位存储器芯片组成64K×8位RAM。;3、字位扩展法;字位扩展法组成的64K×8位RAM;二、半导体存储