半导体探测器综述.ppt

第四章 半导体探测器; 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。;半导体探测器的特点：;4.0 半导体的基本知识 1. 固体的导电性： 物体导电是物体内电子在外电场作用下定向运动的结果。 2. 导体、半导体、绝缘体的能带 由于电场力对电子的作用，使电子的运动速度和能量发生变化。 从能带论来看，电子能量变化就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上。 满带：能级已被电子所占满，一般外电场作用时，其电子不形成电流，对导电没有贡献，亦称价带。 导带：能带被电子部分占满，在外电场作用下，电子从外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上去，形成电流，起导电作用。;禁带：满带和导带之间的禁区称为禁带，其宽度也称为能隙，记做Eg。 导体、半导体和绝缘体之间的差别在于禁带宽度不同： 导体不存在禁带，满带和导电交织在一起； 半导体禁带较窄，Eg=0.1-2.2eV 绝缘体禁带较宽，Eg=2-10eV 由于能带取决于原子间距，所以Eg与温度和压力有关。一般禁带宽度大的材料，耐高温性能和耐辐照性能好。;4.1 半导体的基本性质;2) 杂质半导体;4)受主杂质(Acceptor impurities)与受主能级;Doping with valence 5 atoms; 对N型半导体：n p，可以加入受主杂质，使之成为本征半导体，此时n = p = ni，也称为“准本征半导体”；进一步加入受主杂质，可变为P型半导体，即p n。;3、半导体作为探测介质的物理性能;2) 载流子的漂移;3) 电阻率与载流子寿命;对半导体探测器材料的基本要求;4.2 P-N结半导体探测器;结合前，N区的电子比P区多，P区的空穴比N区多。 结合后，电子由N区向P区扩散与空穴复合；空穴由P区向N区扩散与电子复合。扩散的结果形成PN结。 在PN结区，电子空穴很少，剩下的杂质正负离子形成空间电荷区，其内建电场方向由N区指向P区，阻止电子、空穴继续扩散，并造成少数载流子的反向漂移运动。当扩散运动和反向漂移运动达到平衡时，P区或N区的电子空穴浓度就不再变化。这个由杂质离子组成的空间电荷区，即PN结区，亦称耗尽区，阻挡层，势垒区。;(2) 外加电场下的P-N结： ;PN结的偏压特性;半导体探测器的灵敏区;2) P-N结半导体探测器的特点 ;电场为非均匀电场：;(2) 结区宽度与外加电压的关系;(3) 结区宽度的限制因素;2、P-N结半导体探测器的类型;2. 面垒型;3、半导体探测器的输出信号;;2) 输出信号;但是，由于输出电压脉冲幅度h与结电容Cd有关，而结电容 随偏压而变化，因此当所加偏压不稳定时，将会使 h 发生附加的涨落， 不利于能谱的测量；为解决该矛盾，PN结半导体探测器通常不用电压型或电流型前置放大器，而是采用电荷灵敏前置放大器。电荷灵敏放大器的输入电容极大，可以保证 C入 Cd ，而 C入是十分稳定的，从而大大减小了Cd变化的影响。若反馈电容和反馈电阻为Cf和Rf，则输出脉冲幅度为：;3) 载流子收集时间;4、主要性能;能量分辨率可用FWHM表示：;(2) 探测器和电子学噪声; 入射粒子通过探测器灵敏区之前的非耗尽层厚度称为窗厚。;假设入射带电粒子在窗材料中射程 ：;（4）空气的影响 入射带电粒子从放射源发出到进入探测器灵敏体积要经过空气层并在其中损失一部分能量，造成 输出脉冲幅度减小，谱峰有个低能尾部，从而使分辨率变差。 测能谱时可以把放射源尽可能靠近探测器。且还可以抽真空（把探测器放在真空中）从而可忽略空气的吸收。;2） 分辨时间与时间分辨本领：;5、应用;1)介质为空气：;2)介质为真空;5、应用;; 由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。 对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。;4.3 锂漂移半导体探测器;2) P-I-N结的形成;2. 锂漂移探测器的工作原理;2) 工作条件; PIN探测器结构可以是平面型 的（如上所述），也可以是同轴型的，如图所示。同轴型的以P型芯贯穿晶体的情况，又可分为双端同轴探测器和单端同轴探测器。同轴型可以使灵敏体积较大。;3.能量分辨率 Si（Li）探测器常用于测量低能和x射线能谱，影响Si（Li）探测器的能量分辨率的因素类似于PN结型探测器，同样有电子－空穴对数的统计涨落，复合和俘获效应使谱峰低能边加宽（在布增加反向电流前提下可尽量增加偏置电压V0以减少复合和俘获），探测器噪声、窗厚等。;4.4 高纯锗(HPGe)半导体