采用同步辐射源X射线衍射技术原位观测VLSI铝互连线的应力.pdfVIP

第 卷 第 期 北 京 工 业 大 学 学 报 31 5 Vol .31 No .5 年 月 2005 9 J OURNAL OF EIJI NG UNI VERSI TY OF TECHNOLOGY Sept . 2005 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 采用同步辐射源 射线衍射技术原位观测 X 铝互连线的应力 VLSI 吉 元1 ，刘志民2 ，付厚奎3 ，李志国3 ，钟涛兴2 ，张 虹2 ，吴月华3 ，付景永1 （ 北京工业大学 固体微结构与性能研究所，北京 ； 北京工业大学 材料科学与工程学院，北京 ； 1. 100022 2. 100022 北京工业大学 电子信息与控制工程学院，北京 ） 3. 100022 摘 要：为研究 金属互连线的应力导致 器件失效的问题，采用同步辐射源 射线衍射技术，原位测试 VLSI I C X 了 中 互连线在电迁徙及加热条件下的应力变化 沉积态的 互连线在室温下为拉应力 退火过程使 VLSI Al . Al . 拉应力逐渐减小，在 过程中由拉应力转为压应力 在电流密度为（ ） ／ ， 300 ～350 C . 3 105 ～4 106 A c m2 275 mi n 的电徙动实验过程中， 互连线阳极端由拉应力转变为压应力，并随后随着电流密度的增加而增加 此外，采用 Al . 扫描电镜（ ）观察了 互连线的电迁徙失效特征及应力释放过程 SEM Al . 关键词：同步辐射源 射线衍射； 互连线；热应力；电迁徙 X Al 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） TN306 A 0254 -0037 2005 05 -0514 -05 ／ 中金属互连线中的热应力和电迁移应力是造成 器件失效的主要原因 受微米和亚微 ULSI VLSI I C