采用喇曼散射和光热偏转谱法研究微晶硅薄膜结构.pdfVIP

! # · $ ! 第16 卷 第2 期 2005 年2 月 Jour nal of Opt oelect ronics Laser Vol .16 No .2 Feb .2005 采用喇曼散射和光热偏转谱法研究微晶硅薄膜结构 张晓丹 !赵 颖!朱 锋!魏长春!麦耀华!高艳涛!孙 建!侯国付! 耿新华!熊绍珍 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 天津市光电子薄膜 器件与 技术 重点实 验室 光电信 息技术 科 学教育部重点实验室 天津 300071 摘要 采用 VHF- PECVD 技 术 制 备 了 不 同 结 构 的 Si 薄 膜 用 喇 曼 Ra man 散 射 光 谱 和 光 热 偏 转 谱 PDS 分别对材料的结构进行了研究 结果表明 Si 薄膜的结构随温度的升高 功率的增大及 H 稀释的 加大逐渐由非晶转变为微晶 同喇曼谱相比 PDS 也可粗略地估计材料的结构变化 即使是同一种材料 恒定光电导谱 CP M 和 PDS 的测试 结 果 是 不 同 的 PDS 能 更 准 确 地 反 映 材 料 的 实 际 信 息 综 合 PDS 和喇曼谱的测试结果认为 制备出了高质量的微晶 Si #c-Si 薄膜 关键词 微晶 Si #c-Si 薄膜 喇曼光谱 光热偏转谱 PDS 中图分类号!TN304 .055 文献标识码!A 文章编号!1005-0086 2005 02-0167-04 Struct ure St udies of Microcrystalli ne Silicon Thi n Fil m Usi ng Ra man Scatteri ng and Photo Ther mal Deflection Spectra Z HANG Xi ao-dan Z HAO Yi ng Z HU Feng WEI Chang-chun MAI Yao-hua GAO Yan-tao SUN Ji an HOU Guo-f u GENG Xi n-hua XI ONG Shao-Zhen Instit ute of Phot o- Electronics Thi n Fil m Devices and Techni Cue of Nankai Uni versit y Key Laborat or y of Phot o- Electronics Thi n Fil m Devices and Techni Cue of Ti an i n Key Laborat or y of Opt o-electronic Inf or- mati on Science and Technol ogy E MC Tian i n 300071 Chi na Abstract si l i con t hi n fi l ms Wi t h di ff er ent str uct ur es f abri cat ed by VHF- PE CVD by usi n9 Ra- man scatt eri n9 Wer e st udi ed and Phot o t h