薄膜物理第4章薄膜的形核与生长选编.ppt

薄膜材料与技术;凝聚过程 成核理论 生长过程 薄膜的生长模式;薄膜的形成与生长：;;（3）入射原子的滞留时间; 表面滞留期间----表面扩散过程; 平均表面扩散时间;若用 表示相邻吸附位置间距，则表面扩散系数定义为：;2. 吸附原子在基片上的状态;薄膜的形成是由成核开始的。;;;; 假设在基片表面上形成的核是球冠形， 表明沉积物与衬底材料之间的浸润程度，核的曲率半径为r。;球冠面积（核与气相界面）：;总的自由能变化：表面自由能变化+体积自由能变化;当原子团半径小于临界形核半径时，原子团不稳定；当原子团半径大于临界形核半径时，?G↓，原子团长大变得更稳定。; 临界核、稳定核与薄膜形成 （讨论）;临界核长大速率： 在单位面积、单位时间内产生的稳定核数量。 临界核长大途径： 入射原子直接与临界核碰撞相结合(很少） 吸附原子做表面迁移→碰撞→结合（为主） 临界核长成稳定核的速率决定于： 1）单位面积上的临界核数—临界核密度 2）每个临界核的捕获范围 3）所有吸附原子向临界核运动的总速度; 成核速率 与临界核面密度 、临界核捕获范围 和吸附原子向临界核扩散的总速率 有关。;成核速率:;; 原子聚集理论的基本内容;1)较低基体温度T1，临界核是吸附在基体表面上的单个原子。每一个吸附原子一旦与其他吸附原子相结合都可形成稳定的原子对形状稳定核。 2)温度大于T1之后，临界核是原子对。因为此时每个原子若只受单键的约束是不稳定的，必须具有双键才能形成稳定核。此时，最小稳定核是三原子的原子团。另一种可能是四原子的方形结构，概率小。 ;3)当温度高于T2后，临界核是三原子或四原子团。因为这时双键已不能使原子稳定在核中。要形成稳定核，每个原子至少有三个键，稳定核是四原子团或五原子团。 4)当温度再进一步升高达到T3以后，临界核显然是四原子团和五原子团，有的可能是七原子团。;转变温度或临界温度：形成临界核的等效温度; 成核速率; 是单原子吸附状态下的势能，故若将 作为能量基准（零点），则临界核密度可表示为：; 两种成核理论的比较;; ;;透射电镜观察：大小一致(2-3nm)的核突然出现。 平行基片平面的两维大于垂直方向的第三维。 ;两个圆形核结合时间小于0.1s,并且结合后增大了高度，减少了在基片所占的总面积。结合时类液体特性导致新出现的基片面积上会发生二次成核，结合后的复合岛若有足够时间，可形成晶体形状，多为六角形。;圆形的岛在进一步结合处，才继续发生大的变形→岛被拉长，从而连接成网状结构的薄膜，在这种结构中遍布不规则的窄长沟道，其宽度约为5-20nm，沟道内发生三次成核，其结合效应是消除表面曲率区，以使生成的总表面能为最小。 ;小岛结合，岛的取向会发生显著的变化，并有些再结晶的现象。沟道内二次或三次成核并结合，以及网状结构生长→连续薄膜。