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第四章 线性系统的根轨迹法 (root locus method) ;根轨迹法简介;[举例]：用解析的方法画闭环极点的轨迹;分析根轨迹与系统性能的关系;根轨迹概念;根轨迹方程推导;闭环零、极点与开环零、极点的关系;于是，系统开环传递函数可表示为：;比较?(s)与G(s)H(s)，得出以下结论：;特征方程→根轨迹方程;包含开环零、极点的根轨迹向量方程;根轨迹的相角条件方程和模值条件方程：; ∑（由各开环零点指向根轨迹点s的方向角） －∑（由各开环极点指向根轨迹点s的方向角） ＝指向正左方;● 模值条件的几何意义：;根轨迹绘制的基本法则;根轨迹绘制基本法则推导;引入“无限零点”：n m时，将有(n-m)条根轨迹的 终点在无穷远处；;法则2 根轨迹的分支数和对称性：根轨迹的分支数与开环有限零点数m和有限极点数n中的大者相等；每一根轨迹分支连续且对称于实轴。;法则3 根轨迹的渐近线：当开环有限极点数n大于 有限零点数m时，有n-m条根轨迹分支沿与 实轴交角为?a、交点为?a的一组渐近线趋向 无穷远处，且有：;[证明]：渐近线是s值很大时的根轨迹；渐近 线重合于实轴或虚轴，或对称于实轴。;;;法则4 实轴上的根轨迹：实轴上的某一区域，若 其右边开环实数零、极点个数之和为奇数， 则该区域必是根轨迹。;;法则5 根轨迹分离点与分离角;j;[例4-1]：已知系统开环传递函数为： （1） 绘制根轨迹并证明复平面上根轨迹部分为圆； （2） 系统呈现欠阻尼状态时的开环增益范围； （3） 系统最小阻尼比时的闭环极点。;实轴上根轨迹：;×;(1) 证明复平面上根轨迹部分为圆：;（2） 系统呈现欠阻尼状态时的开环增益范围;法则6 根轨迹的起始角与终止角; 起始角θpi与终止角? zj依据相角条件求出：;;p2;p2;计算起始角：;计算终止角：;j; 意义：分析K*变化对系统稳定性的影响。; 根轨迹与虚轴相交表示闭环系统将有一对虚轴上的极点。令s=j? ，即D( j? )=0 ，并分别令实部、虚部为零 ，得到方程组：;[解]：列Routh表 s3 1 2 s2 3 K1 s1 (6- K1)/3 s0 K1;[另解]：直接求解特征方程，将s=j? 代入特征方程 s3+3s2+2s+K1=0 有： （3?2+ K1 ）+j(?3+2 ? )=0 即;法则8 根之和——可用于判断根轨迹走向; 所以当K*增大，若一些特征根的实部增大，必然有另一些特征根的实部在减小。;根轨迹绘制基本法则补充：;根轨迹的绘制举例;[解]：;3. 根轨迹的渐近线;例4-4 根轨迹渐近线; 4. 实轴上的根轨迹： 实轴上的根轨迹位于[-3，0]区域。 ;5. 根轨迹的分离点（实轴上）;6. 确定起始角（出射角） ?p3 = 180°+ ? ?i - ? ?j ≈ 180 °-(135 °+90 °+26.6 °) ≈ - 71.4 °;7. 确定根轨迹与虚轴的交点 特征方程为： s4+5s3+8s2+6s+K*=0 应用Routh判据：s4 1 8 K* s3 5 6 s2 34/5 K* s1 (204－25 K* )/34 s0 K* ;-1;-1; 绘制根轨迹须注意的一些问题;绘制根轨迹须注意的一些问题;由根轨迹确