第3章纳米薄膜材料PVD.pptVIP

Seminar的总结;第三章 纳米薄膜材料 ;; 薄膜材料是相对于体材料而言的，是人们采用特殊的方法，在体材料的表面沉积或制备的一层性质于体材料完全不同的物质层。薄膜材料受到重视的原因在于它往往具有特殊的材料性能或材料组合。;; 纳米薄膜的分类;a:纳米复合功能薄膜：利用纳米粒子所具有的光、电、磁方面的特异性能，通过复合赋予基体所不具备的性能，从而获得传统薄膜所没有的功能。;b:纳米复合结构薄膜：通过纳米粒子复合提高机械方面的性能;金属／绝缘体、半导体／绝缘体、金属／半导体、 金属／高分子、半导体／高分子;3．2纳米薄膜材料制备技术; 1）、真空蒸发(单源单层蒸发；单源多层蒸发；多源反应共蒸发) 2）、磁控溅射 3）、离子束溅射（单离子束(反应)溅射；双离子束(反应)溅射；多离子束反应共溅射） 4）、分子束外延(MBE);;1）化学气相沉积(CVD)：金属有机物化学气相沉积；热解化学气相沉积；等离子体增强化学气相沉积；激光诱导化学气相沉积；微波等离子体化学气相沉积。 2) 溶胶-凝胶法 3)电镀法 ;金属有机物化学沉积;?厚度均匀度 ?表面平坦度粗糙度 ?成分晶粒尺寸 ?不含应力 ?纯度 ?整体性 -沉积膜必须材质连续、不含针孔 -膜层的厚度影响：电阻，薄层易含针孔，机械强度较弱 -覆盖阶梯形状特别重要，膜层厚度维持不变的能力 ;物理气相沉积(PVD)方法作为一类常规的薄膜制备手段被广泛地应用于纳米薄膜的制备与研究工作中，PVD包括蒸镀、电子束蒸镀、溅射等。;1;目的：避免气体碰撞妨碍沉积物到达基片。 在高真空度的情况下(真空度≤10-2Pa)，沉积物与残余气体分子很少碰撞，基本上是从源物质直线到达基片，沉积速率较快； 若真空度过低，沉积物原子频繁碰撞会相互凝聚为微粒，使薄膜沉积过程无法进行，或薄膜质量太差。 ;气相物质在基片上的沉积是一个凝聚过程。根据凝聚条件的不同，可以形成非晶态膜、多晶膜或单晶膜。 若在沉积过程中，沉积物原子之间发生化学反应形成化合物膜，称为反应镀。 若用具有一定能量的离子轰击靶材，以求改变膜层结构与性能的沉积过程称为离子镀。 ;定义：在高真空中用加热蒸发的方法使源物质转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法。(见书上p52图);在高真空中，将源物质加热到高温，相应温度下的饱和蒸气向上散发。 基片设在蒸气源的上方阻挡蒸气流，蒸气则在基片上形成凝固膜。 为了补充凝固蒸气，蒸发源要以一定的速度连续供给蒸气。 ;①电阻加热蒸镀 ②电子束加热蒸镀 ③合金膜的制备 ④化合物膜的制取 ⑤分子束外延 ⑥ 激光蒸发镀膜;电阻法是用高熔点金属做成适当的形状的加热器，并将膜材料放在上面加热，利用电流的热效应使加热器温度达到材料蒸发的温度，膜材料蒸发并淀积在基板上。 ;将钨丝绕制成各种直径或不等直径的螺旋状即可作为加热源。在融化以后、被蒸发物质或与钨丝形成较好的浸润、靠表面张力保持在螺旋钨丝中、或与钨丝完全不浸润，被钨丝螺旋所支撑。;对于钨丝不能加热的物质，如一些材料的粉末，则用难熔金属板支撑的加热器。 对于在固态升华的物质来说，也可以用难熔金属制成的升华用专用容器。 ;电阻加热法：依靠缠于坩埚外的电阻丝加热。 高频加热法：用通水的铜制线圈作为加热的初级感应线圈，它靠在被加热的物质中或坩埚中感生出的感应电流来实现对蒸发物质的加热。显然，后者要求被加热物或坩埚有一定的导电性。 ;常用的几种加热器形状;坩埚式蒸发器结构 (Ta加热器);电阻法的缺点：膜材料与加热材料之间产生扩散或反应，使加热材料本身的熔点和蒸发点降低，以致造成镀得的膜层含有杂质。 大多数膜材料在熔化后将于加热材料浸润。表面扩张，附着在加热器上形成面蒸发源，蒸发效果比较好。 反之，若膜材料于加热材料不浸润，膜材料将融为一个液球，成为点蒸发源，如果加热器的形状不合适液球将从加热器上脱落下来，使蒸镀失败。;用电子束法加热将避免电阻法的缺点。电子束法是将热发射的电子在电场的作用下，经磁聚焦后形成电子束打在加热器（坩埚）内的膜材料上，膜材料在电子束的轰击下蒸镀到基板上，形成镀膜。坩埚通常要水冷。;电子束加热装置结构 (热灯丝释出电子);电子束加工时注意事项;图1 :薄膜由均匀的微小晶粒组成. 图中膜层表面的裂纹是由于基底Ta 表面具有一定的粗糙度造成的. ;蒸镀实验步骤: 1)基片清洗以及安装：对薄膜基片，先用水洗掉灰尘，再用超声波清洗干净，取出后用高纯度氮气吹干，把干净的基片放在样品架指定位置。 2)镀膜材料的准备，安放在蒸发用坩埚内。 3)盖好钟罩，抽真空，达到蒸发镀膜的真空要求（10-4Pa左右）。 4)开启坩埚的加