固体物理2-2-2015-talk2讲义.pptVIP

固体物理导论;第一章 半导体中的电子过程 ;内容提要 本章内容主要有四个部分 1、半导体材料中两种载流子：电子和空穴，本征半导 体、 N型杂质半导体、 P型杂质半导体。 2、二极管的特性。 3、双极型三极管输入特性曲线和输出特性曲线 4、能带。; 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。物质的导电特性取决于原子结构。 1914年，夫兰克和赫兹用慢电子与稀薄气体原子碰撞的方法，使原子从低能级激发到较高能级。通过测量电子和原子碰撞时交换的能量，直接证明了原子内部量子化能级的存在。 ;导体:通常指电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。金属和合 金一般都是导体，如铝、金、钨、铜、镍铬 等。能带能隙很小或为 0 , 在室温下电子很 容易获得能量而跃迁至导带而导电。 绝缘体:通常电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如SiO2、 SiON、Si3N4等。能带能隙很大，可达到9 eV，电 子很难跳跃至导带，所以无法导电。 半导体:导电特性处于导体和绝缘体之间，能隙一 般约为 1－ 3 eV，只要给予适当条件的能量激 发，或是改变其能隙之间距就能导电。如硅 为1.12eV，锗为0.67eV，砷化镓为1.43eV，所以它 们都是半导体。 ; 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子数都是四个。把硅或锗材料拉制成单晶体时, 原子组成金刚石晶体结构，每个原子周围有四个最邻近的原子，这四个原子处于正四面体的顶角上，任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有，并形成稳定的共价键结构。共价键夹角:109?28’，它有很强的结合力，使原子规则排列，形 成晶体。在常温下束缚电子很难 脱离共价键成为自由电子，因此 本征半导体中 的自由电子很 少，导电能力 很弱。; 半导体在热激发下产生自由电子和空穴对称为本征激发。自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，这种现象称为复合。本征半导体中自由电子与空穴的浓度相等。对于硅材料, 在300K下，空穴的浓度为1.4×1010CM-3。大约温度每升高８℃, 本征载流子浓度ni增加 1 倍。另外半导体载流子浓度还与光照等有关。;§ 1.1.2 杂质半导体;;;用热电材料制成的器件;导电高分子材料的导电机理;三、杂质半导体特性;物理性质： 原子序数:14，相对原子量:28.09，有无定形和晶体两种同素异形体。晶体硅钢灰色，无定形硅黑色，密度密度2.33g/cm3 ，熔点1420℃，沸点2355℃，莫氏硬度为7 。晶格常数0.543089nm，原子密度5.00×1022，共价半径： 0.117nm。 化学性质： 硅在常温下不活泼。但可与氢氟酸及其混合酸反应，生成SiF4或H2SiF6 。 在高温下能与氧气等 多种元素化合。;硅的制备 工业上，硅通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。化学反应方程式： SiO2 + 2C → Si + 2CO 这样制得的硅纯度为97~98%。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的硅。 要将它指成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，如四氯化硅，再经蒸馏分解过程得到多晶硅。区熔提纯等处理方法可得到高纯度的硅。;SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl (1) ;;§ 1.2.1 PN 结及其单向导电性;一、平衡状态的PN结 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。 形成耗尽层和PN 结。 漂移运动： 空间电荷区产生内电场，内电场阻止多子的进一步扩散，在内电场作用下引起的载流子向扩散相反方向的运动。内电场越强，漂移运动也越强，漂移运动将使空间电荷区变薄。;PN结的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。 空间电荷区的宽度约为零点几微米 ~ 几十微米； 硅内电场，约为(0.6 ~ 0.8) V, 锗内电场，约为(0.2 ~ 0.3) V。; 电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动→多子扩散形成正向电流;电源正极接N区，负极接P区