《化合物半导体器件》教学大纲.doc

PAGE  PAGE 4 《化合物半导体器件》教学大纲 课程编号：MI3321038 课程名称：化合物半导体器件 英文名称：Compound Semiconductor Devices 学时：30 学分：2 课程类型：任选 课程性质：专业课 适用专业：微电子学 先修课程：半导体物理，半导体物理导论, 集成电路设计与集成系统 双极型器件物理，场效应器件物理 开课学期：6 开课院系：微电子学院 一、课程的教学目标与任务 目标：化合物半导体器件的基本特征是异质结构和高速/高性能。本课程的目标是掌握半导体异质结的基本理论与特性，掌握半导体异质结器件的基本物理特性与电学特性，为新型高速/高性能器件与集成电路的研究、设计奠定理论基础。 任务：以化合物半导体材料、异质结基本物理特性与基本电学特性为基础，熟悉半导体异质结器件的基本类型与结构，掌握异质结双极型器件、异质结场效应器件、异质结量子器件、异质结光电子器件等的基本理论、原理、高速/高性能机理。了解化合物材料、异质结、异质结器件在集成电路中的应用及其当前的技术发展。半导体材料涉及GaAs、SiGe/Si、SiC和GaN。 二、本课程与其它课程的联系和分工 本课程的基础是半导体物理，半导体物理导论、双极型器件物理、场效应器件物理。 三、课程内容及基本要求 (一) 化合物半导体器件物理基础 (6学时) 具体内容：化合物半导体材料和器件的基本特征，异质结，异质结材料技术，应变材料基本属性，异质结基本物理特性，异质结基本电学特性。 1.基本要求 （1）了解化合物半导体材料和器件的基本特征。 （2）了解化合物半导体材料技术。 （3）掌握应变材料和异质结基本属性。 （4）掌握异质结基本物理特性，异质结基本电学特性。 2.重点、难点 重点：应变材料和异质结基本属性；异质结基本物理特性，异质结基本电学特性。 难点：应变材料和异质结基本属性。 3.说明：应变材料和异质结技术是当前高速/高性能器件与集成电路研究发展的重点和热点。 （二）异质结双极晶体管(6学时) 具体内容：异质结双极晶体管基本结构、发射效率、直流特性、频率特性、其它特性及性能优化。 1.基本要求 （1）了解异质结双极晶体管基本结构。 （2）掌握异质结双极晶体管发射效率。 （3）掌握异质结双极晶体管直流特性、频率特性及其表征。 （4）熟悉异质结双极晶体管线性特性、噪声特性及性能优化。 2.重点、难点 重点：异质结双极晶体管基本结构；异质结双极晶体管发射效率；直流特性，频率特性。难点：异质结双极晶体管性能与器件结构。 3.说明：异质结双极晶体管是当前高速/高性能器件与集成电路研究发展的重点。 （三）异质结场效应晶体管(6学时) 具体内容：调制掺杂效应，二维载流子气控制，高电子迁移率晶体管直流特性、频率特性，异质结MOS场效应晶体管，绝缘体上异质结MOS场效应晶体管。 1.基本要求 （1）熟悉异质结场效应晶体管基本结构。 （2）熟悉调制掺杂效应、二维载流子气及其控制。 （3）掌握高电子迁移率晶体管直流特性、频率特性及其表征。 （4）掌握异质结MOS场效应晶体管直流特性、频率特性及其表征。 （5）了解绝缘体上异质结MOS场效应晶体管。 2.重点、难点 重点：调制掺杂效应、二维载流子气控制；高电子迁移率晶体管直流特性、频率特性 及其表征；异质结MOS场效应晶体管直流特性、频率特性及其表征；绝缘体上异质结MOS场效应晶体管。 难点：调制掺杂效应、二维载流子气控制；异质结场效应晶体管性能与器件结构。 3.说明：异质结场效应晶体管是当前高速/高性能器件与集成电路研究发展的重点。 （四）异质结量子器件 (5学时) 具体内容：异质结量子效应，异质结量子效应器件，异质结热电子器件。 1.基本要求 （1）熟悉异质结量子效应。 （2）熟悉异质结量子效应器件及其特性。 （3）熟悉异质结热电子器件及其特性。 （4）了解超晶格及其基本应用。 2.重点、难点 重点：异质结量子效应；异质结量子效应器件原理与特性；异质结热电子器件原理与特性。 难点：异质结量子效应，半导体超晶格。 3.说明：异质结量子器件是新型的、有发展前途的高速/高性能器件。 （五）异质结光电子器件(3学时) 具体内容：异质结激光器，异质结光电探测器，异质结太阳电池。 1.基本要求 （1）熟悉光子-电子相互作用。 （2）掌握异质结激光器基本结构、原理及性能。 （3）掌握异质结光电探测器基本结构、原理及性能。 （4）掌握异质结太阳电池