第4章嵌入式硬件系统(一)(2课时)学案.ppt

嵌入式系统;本节内容;嵌入式系统的组成;嵌入式系统硬件部分; 硬件构成 ;本节内容;2存储器及其扩展 ;分类;1.RAM (Random Access Memory) 内部结构：4×4 RAM 每个内存单元存储一个位（Bit）的数据 使能线+地址线 ＋rd/wr线控制 ; 特点 可读可写，读取和写入一样快速 上电数据保存，掉电数据丢失 作为内存使用。 种类 SRAM DRAM;(1) SRAM (静态随机存取存储器 ) 内部结构 由正反器电路组成 S=1、R=0时,输出Q =1 S=0、R=1时,输出Q =0 每一位存储单元电路 需要6个晶体管 ; 特点 数据存取速度较快 比较容易和处理器制造在同一个芯片中 数据不需实时刷新 但成本较高 ;(2) DRAM (动态随机存取存储器) 内部结构 存储单元由一个电 容和一个晶体管组成 解码线使晶体管导通后， 通过 rd/wr 线读取电容 电压，或者对电容充放电 电容漏电， 15.625微秒充电一次 ; 特点 容量较大，约是 SRAM 的4倍 成本低 但由于电容的充放电原因，数据需要进行实时刷新操作 ;2.ROM (Read-Only Memory) 内部结构 存储数据方式利用可规划式接线的短路或断路来实现，具体接线的规划方式由ROM的类型决定 使能线 + 地址线 ; 特点 数据可以读取,但不能任意更改 掉电情况下数据不会丢失 程序可存放在ROM中 种类 EPROM，EEPROM Flash;(1) EPROM (Erasable ProgramEnable Read-Only Memory) ; 内部结构 图(a) 使用金氧半导体(MOS) 具有浮动栅极 图(b):电可编程 栅极正电压使电子经 绝缘体层到达栅极 栅极被充电后，源-漏 极间为截止状态,形成 断路，逻辑输出为0； 相反，逻辑输出为1;图(c):紫外线擦除 紫外线通过石英窗 直接照射 栅极的电子又通过 绝缘体回到N通道， 为防自然光照射，石英 窗上粘贴上反光胶布 EPROM又可被重新规划 ; 特点 一种只读存储器 电可编程 紫外线擦除 适合少量生产或是产品开发调试实验 ;(2) EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory ) 内部结构 与EPROM类似，具有浮动栅极 与EPROM不同，源极、漏极、浮动栅极、P型基底接上不同的电压进行写入、擦除和读出 见下图4-11 ;4.2 存储设备 ; 特点 与EPROM类似，电可编程 与EPROM不同，电可擦除 省去了EPROM擦除需照射紫外线的烦琐程序 针对每个存储单元进行擦除操作 擦除次数达到一万次以上 EEPROM的使用比EPROM更普遍 ;(3) Flash Memory (闪存) 内部结构 是EEPROM 的延伸产品，也采用浮动栅极原理 但其浮动栅极与通道间的距离较短 特点 数据写入速度快（因为浮动栅极与通道间的距离比较短），故得名“闪存” 可以一大块数据直接进行清除，使用方便 例：PDA中作为程序存储器，操作系统版本的升级和改变只需重写Flash;NOR技术;NAND技术;存储器系统-Flash*;存储器系统-Flash;常见的存储器扩充装置;常见的存储器扩充装置;常见的存储器扩充装置;本节内容;;3.1;;总线的应用;提供输入/输出设备同系统中其他部件间的公共通信通路，标准化程度最高，可用于各种型号的处理器，如IDE总线、USB总线。 ;总线空闲（其他器件都以高阻态形式连接在总线上）且一个器件要与目的器件通信时，发起通信的器件驱动总线，发出地址和数据。其他以高阻态形式连接在总线上的器件如果收到（或能够收到）与自己相符的地址信息后，即接收总线上的数据。发送器件完成通信，将总线让出（输出变为高阻态）。 ;总线;3.3;PCI总线 ;3.3.4 PCI Express总线;3.3.5 CPCI总线;3.3.6 PC104总线;3.4;;;;;3.5 CAN（Controller Area Network）总线;本节内容;系统时钟就是一个典型的频率相当精确和稳定的脉冲信号发生器。 时钟 晶振：提供标准频率 频率综合器：产生各种频率 时钟电路 为嵌入式系统产生时序脉冲;本节内容;两种基本的直流/直流变换的电源供电方式 线性稳压电源 开关稳压电源 ;线性稳压电源 优点就是电路结构简单，可靠性高，所需电路元件数量少，电源纹波小 一个致命的弱点就是效率低，功耗大 开关稳压电源 优点就是转换效率高，一