第十一章半导体存储器总汇.pptVIP

半导体 集成电路 夏炜炜 扬州大学物理科学与技术学院 E-mail：wwxia@yzu.edu.cn 第11章 半导体存储器 内容提要 概述 存储器的分类 存储器的容量 存储器的结构 只读存储器（ROM） 非挥发存储器（NVRWM） 随机存取存储器（RAM） 1.存储器分类 RWM 非挥发存储器（NVRWM） 只读存储器（ROM） Random Access Non-Random Access EPROM 固定式只读存储器（Mask-programmed） SRAM (cache, register file) FIFO/LIFO E2PROM DRAM Shift Register CAM FLASH 可编程只读存储器 (PROM) 一、概述 存储器是用来存放（记忆）数据、指令、程序等信息，并根据需要能读出或既能读出又能写入这些信息的集成电路 存储容量：存储单元的总数。 2.存储器的容量 一个存储单元可存储一个二进制数位（bit） 字长：字的位数称为字长。如4位、8位、16位、32位等。 因此，存储容量常用“N（个字）×M（位）”表示。 如：1024位的存储器，若字长为8，则存储128个字（128×8）。 1D Memory 结构 n words  n 个选择信号 通过译码器 ：输入信号数k = log2 n 3.存储器的结构 2D Memory结构 A0 Row Decoder A1 Aj-1 灵敏放大器 位线 ( bit line ) 字线 ( word line ) 存储单元 (storage cell) 行地址 列地址 Aj Aj+1 Ak-1 读/写电路 Column Decoder 2k-j 2j Input/Output (m bits) 3D Memory 结构 Row Addr Column Addr Block Addr Input/Output (m bits) 优点: 1. 更短的字或位线 2. 块地址选择只激活一个块，因此节省功耗 存储器的构成： 1.存储阵列 2.地址译码器（行和列地址译码器） 3.读写电路 二、只读存储器ROM(Read Only Memory) WL BL WL BL 1 WL BL WL BL WL BL 0 VDD WL BL GND Diode ROM MOS ROM 1 MOS ROM 2 1.只读存储器的存储单元 2.MOS OR ROM WL [0] V DD BL [0] WL [1] WL [2] WL [3] V bias BL [1] Pull-down loads BL [2] BL [3] V DD 3.MOS NOR ROM MOS NOR ROM Layout 1 用扩散层编程 Polysilicon Metal1 Diffusion Metal1 on Diffusion 面积小 MOS NOR ROM Layout 2 Polysilicon Metal1 Diffusion Metal1 on Diffusion 用接触孔编程 工序为后期，因此不用在扩散层就等用户 4.MOS NAND ROM 默认情况下字线为高，被选中时为低。 WL [0] WL [1] WL [2] WL [3] V DD Pull-up devices BL [3] BL [2] BL [1] BL [0] 字线工作在负逻辑 MOS NAND ROM Layout1 Polysilicon Diffusion Metal1 on Diffusion 用金属1层编程 用金属将不需要的晶体管源漏短路 NAND ROM Layout2 Polysilicon Threshold-alteringimplant Metal1 on Diffusion 用离子注入层编，需增加一道工序 注入n型杂质降低阈值使其变成耗尽型，相当于短路 普通OR、NOR、NAND结构缺点 静态功耗大，当输出为低（NOR、NAND）或高（OR）时，存在一个从VDD到GND的静态电流通路。 预充式NOR ROM 5.预充式NOR ROM 预冲管充电时，所有下拉管（字线控制的管子）关断。 优点：消除了静态功耗。 缺点：增加了时钟信号发生电路 φpre WL[0] 6.地址译码器 (1).行译码器 行译码器的任务是从存储阵列诸多行中选中所需的行 b. NAND译码器 a. NOR译码器 行译码器 列译码器 Precharge devices V DD f GND WL 3 WL 2 WL 1 WL 0 A 0 A 0 GND A 1 A 1 f WL 3 A 0 A 0 A 1 A 1 WL 2 WL 1 WL 0 2-in