第2章电介质材料.pptVIP

第二章 电介质材料;电介质的极化;3;4;1.2 复介电常数;由于：;1.3 多相系统电介质材料的介电常数;1.4 介电常数的温度系数;2 介质损耗;3 介电强度;第二节 微波介电陶瓷;频率温度系数TCF:;微波介质材料;(2)高稳定性(接近于零的频率温度系数）? 　　通信器件的工作环境温度不可能一成不变。如果微波介质材料的谐振频率随温度变化较大，滤波器的载波信号在不同的温度下就会漂移，从而影响设备的使用性能。这就要求材料的谐振频率不能随温度变化太大。温度的实际要求范围大致是－40℃-＋100℃，在这个范围内，材料的频率温度系数不大于l0ppm/℃。目前，己实用化的微波介质陶瓷材料的频率温度系数可达0 ppm/℃，从而可以实现器件的高稳定性和高可靠性。 ;微波介质陶瓷材料(BaO-TiO2);16;微波介质陶瓷材料[A(B1/3B’2/3)O3钙钛矿型陶瓷A-Ba,Sr, B-Mg,Zn.Mn,B’-Nb or Ta];工艺;微波介质材料系列: BaO-TiO2 A(B1/3B’2/3)O3 (Zr,Sn)TiO4 低温烧结Bi基材料: 低介电常数 中介电常数 高介电常数 高介电微波介质材料(Ln为稀土材料) BaO-Ln2O3-TiO2钨青铜系(BLT) 铅基复合钙钛矿系：FeNb或MgNb酸盐 　CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2系 其他系列的微波陶瓷材料 　(Ba,Sr)ZrO3(BSZ)、CaZrO3、Ca(Zr,Ti)O3(CZT) 　Sr(Zr,Ti)O3(SZT)、(Ba,Sr)(Zr,Ta)O3?;第三节　电容器介电陶瓷材料 一.结构与成份: 　结构组成： 　　主晶相＋次晶相＋玻璃相＋气相 　　瓷料的化学成份、制造工艺共同影响瓷介的性能 二.介电陶瓷的分类与特点;21;2.Ｉ型介电陶瓷 滑石瓷:MgO-Al2O3-SiO2, 主晶相：偏硅酸镁 　氧化铝瓷:BaO-Al2O3-SiO2, 主晶相：刚玉，莫来石;低介电陶瓷配方;3.　II型介电陶瓷 分类：分为强非线性和弱非线性瓷两种 主要要求：大的介电常数，温度稳定性好(往往相矛盾) 介电常数与温度关系：;配制原则： 选用自发极化很强的铁电陶瓷＋移峰剂＋压峰剂 4.　III型介电陶瓷 分类： 表面型介电陶瓷： 　　阻挡层型：以金属电极与半导体表面所形成的阻挡层作为介质层 　　氧化层型：以半导体瓷表面的氧化层作为介质层 晶界层型介电陶瓷：半导体晶粒具有良好的导电性，以绝缘性的晶界层作为工作介质;５．独石电容器陶瓷(多层电容器用) 特点：介电常数是普通陶瓷电容器的三倍，特别适用于高频HIC(薄厚膜混合集成)电路的外贴元件和其他小型化、可靠性要求高的电子设备中。 分类： 高温烧结型：烧结温度高于1300oC，电极材料只能采用Pt,Pd等耐高温金属，产品成本昂贵，仅用于较特殊的整抗中．;低温烧结型： 　*低温烧结I(高频)型独石电容器材料 　MgO-Bi2O3-Nb2O3 ZnO-Bi2O3-Nb2O3 Pb(Mg1/2W1/2)O3-Pb(Mg1/2Nb2/3)O3 (PMW-PMN);PMW-PMN系相图：;*低温烧结II(低频)型独石电容器材料 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-Bi2O3 Pb(Mg1/2Nb1/2)O3-PbTiO3-Pb(Cd1/2W1/2)O3 改性的Pb(Mg1/2Nb1/2)O3-PbTiO3-Pb(Cd1/2W1/2)O3 　中温烧结型： 中温烧结I型(高频)独石电容器 　BaO-TiO3-Na2O3系统 　CaO-TiO3-SiO2系统 中温烧结II型(低频)独石器瓷料 　以BaTiO3为基的瓷料 　含铅的复合钙钛矿型化合物