单片机MC9S12X存储空间的扩展.pdfVIP

学兔兔 第1期 (总第164期) 机 械 工 程 与 自动 化 No．1 2011年 2月 MECHANICAL ENGINEERING ＆ AUT0MAT10N Feb． 文章编号：1672—6413(2011)01—0172—02 单片机MC 9S 1 2X存储空间的扩展 原云峰 (山西机电职业技术学院，山西 长治 046011) 摘要：简要说明了单片机MC9S12X和铁电存储器的特点以及铁电存储器与单片机MC9S12X通过串1：2通信时 双方的硬件配置，并列举了一种铁电存储器FM25L256与单片机MC9S12X通过串口连接的接口电路硬件设 计。最后，给出了MC9S12X串口模块的部分初始化程序及MC9S12X与FM25L256之间的接1：2程序。 关键词：MC9S12X系统；铁电存储器；存储空t4 中图分类号：TP368．2 文献标识码：B 0 引言 电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新 由于铁电 MC9S12X是一款以16位HCS12X为内核微控制 效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁 器(MCU)，包括256 kB的Flash，16 kB的RAM，4 kB 作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条 的EEPROM，3个串行外围接口(SPI)，4个异步串行 件诸如磁场因素的影响，能够同普通R0M存储器一 通信接口(SCI)8通道捕获定时器(ECT)，2个8通道、 样使用，具有非易失性的存储特性。 10位精度的模数转换器(ADC)，3个兼容CAN 2．0A／ FM25I 256具有如下特性： B协议的MSCAN通信口，119个可复用的普通I／O端 (1)256 kbit位的非易失性铁电随机存储器：其结 口。在外扩总线的时候，有独立的23位地址总线和l6 构容量为32 768×8 bit，一万亿次的读写次数，掉电后 位数据总线，可以工作在8位数据总线模式下。 数据可以保持10年，写数据无延时，先进的高可靠性 铁电存储器FRAM具有接近于无限次的高速读 铁电制造工艺。 写功能，在失电的工作环境中，仍能把数据完整地保 (2)高速串口(SPI)串行协议：最大达到25 MHz 存起来。故可以广泛地应用在需要保存可靠数据的工 的总线速度，硬件上直接替代EEPROM，支持的模式 业中，如记录生产设备的历史数据、故障显示和生产 为03模式(CPOL、CPHA=0，1)。 工艺数据 。 (3)完善的写保护：硬件写保护和软件写保护。 在采用以MC9S12X为核心的人机界面系统中， (4)低功耗操作：其工作电压为2．7 V～3．6 V。 当励磁控制系统发生故障时，需要将故障电压等电参 (5)工业标准：工业温度为0℃～7O_C，8脚SOCI 量显示在液晶屏上，并且将其存储到非易失性存储器 封装。 (FRAM)上，同时通过对外通信端口将故障数据传输 铁电存储器可以像RAM一样以很高的速度进行 到上位机和其他网络上，这些数据需要不断地读写并 读写操作，但其不是用电荷来存储数据，所以在写入 且要求系统失电后能够将其保存下来。根据以上要求， 数据后不需要等待，故没有写操作延时，同时又像非 本设计采用铁