外场中多势垒结构的电导的计算.docVIP

Applied Physics应用物理, 2012, 2, 61-66 doi:10.4236/app.2012.22010 Published Online April 2012 (/journal/app) Calculation of Conductance for Multi-Barrier Structure in a Constant Electric Field Min Luo, Shuangbo Yang School of Physics and Technology, Nanjing Normal University, Nanjing Email: yangshuangbo@ Received: Jan. 14th, 2012; revised: Feb. 11th, 2012; accepted: Feb. 16th, 2012 Abstract: In this paper, the current density expression and the unit area conductance for one-dimensional multi-barrier structure in the presence of a constant electric field were derived. For a selected range of parameters of semiconductor materials (GaAs/Ga Al1–xAs), through the numerical calculation the characteristics of unit area conductance versus the x applied voltage to the structure was studied. This paper also studied how the characteristics of the conductance-voltage changes with the temperature and the width of the barrier. Keywords: Multi-Barrier Structure; Conductance 外场中多势垒结构的电导的计算 骆 敏，杨双波 南京师范大学物理科学与技术学院，南京 Email: yangshuangbo@ 收稿日期：2012年 1月 14日；修回日期：2012年 2月 11日；录用日期：2012年 2月 16日 摘 要：本文对外电场中一维多势垒结构推导了电流密度表达式，进而得出单位面积的电导。在半导体材料 (GaAs/Ga Al1–xAs)的参数范围内，通过数值计算进一步研究了一维多势垒结构的单位面积电导与电压特性曲线 x 及温度和势垒宽度对电导–电压曲线的影响。 关键词：多势垒结构；电导 1.引言 由于超晶格是一种由两种材料交替生长而成具 有周期性的半导体结构，窄带隙的材料构成势阱，宽 [1] 自从超晶格的概念被提出来，同时由于分子束 外延(MBE)、金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) [2]等制备超晶格技术的不断完善，超晶格及其在电场 带隙的材料构成势垒[16] ，可通过选择不同的材料、生 长不同的厚度、控制掺杂，改变势阱的形状等方式来 控制材料的性质。 中的性质被越来越多的研究 [3-12] 。近年来还研究了基 利用多势垒结构的量子效应理论，制造出了各种 新的物理器件，比如量子阱级联激光器 (QCL)；基于 量子阱子能带之间及子能带和连续态之间跃迁理论 于石墨烯为基底的双势垒结构的共振传输现象[13] ，计 算了透射系数与电子能量及入射角度之间的关系，电 导率与费米能级的变化关系。T. Noda和 N. Koguchi 研究了嵌入砷化镓量子环的双势垒共振隧穿二极管的 的量子阱红外光电探测器(QWIP)[17] ；基于量子约束斯 [18] [19] 塔克效应的光调制器和光双稳器件 (又叫自电光效 伏安特性[14] 。Guan Sun 等人研究了 GaN/AlN非对称耦 应器件–SEED器件)；基于共振隧穿理论的共振隧穿 二极管(RTD)和共振隧穿三极管(RTT)。 合量子阱在深紫外光区域的光致发光的发射机理[15] 。 Copyright ? 2012 Hanspub 61  外场中多势垒结构的电导的计算 本文通过电子在一定能量和波矢下入射多势垒 结构，GaAs形成势阱，GaAlAs形成势垒，如图 1(a) 结构的透射系数来计算电流密度[20-22]