CIGS太阳能电池中薄膜材料电阻率的研究.pdfVIP

22 传感器与微系统 (TransducerandMicrosystemTechnologies) 2011年 第30卷 第4期 CIGS太阳能电池 中薄膜材料 电阻率的研究 钱 群，张丛春 ，杨春生，丁桂甫 (上海交通大学 微纳科学技术研究院 微米／纳米加工技术国家重点实验室。 薄膜与微细技术教育部重点实验室，上海 200240) 摘 要：研究了减小CIGS太阳能电池中Mo，CIGS，n—ZnO三层薄膜电阻率的溅射工艺方法 ，以达到减小 电池串联电阻的目的。改变工艺参数制备不同样品并对其进行测试分析，得到了溅射气压、衬底温度、退 火工艺对电阻率和薄膜微观形貌的影响。证明了采用双层溅射法制备的Mo、低气压、衬底加热、溅射后退 火得到的CIGS以及3—5Pa下制备的n—ZnO都有较好的薄膜质量和较低的电阻率。 关键词：太阳能电池 ；CIGS；溅射；电阻率 中图分类号：0472 文献标识码：A 文章编号：1000-9787(2011)04-0022-03 ， … l - ● ‘ - ● ‘ … ● ●一 - ‘ ● 一 一 ~tudy 0n electricresistivity ofthin film m aterialsfor GIGSsolarcell QIANQnn，ZHANGCong-chun，YANGChun·sheng，DINGGui—fu (NationalKeyLaboratoryofMicro／NanoFabricationTechnology，KeyLaboraotryforThinFilm and M icrofabriactionTechnoloyg ofM inistry ofEducation，Research InstituteofM icro／NanoScience andTechnoloyg，ShanghaiJiaoTongUniversity，Shanghai200420，China) Abstract：In orderto reduce electric resistivity ofthree—layerthin film materialsna d finally reduce series resistanceofCIGSsolarcell，improvementsofsputteringtechnicsforMo，CIGSandnZ·nOhavebeeninvestigated． Differentsamples are prepraed atdifferentfabricating conditions．The influences ofsputtering airpressure， substratetemperatureandanneal techniqueon electricresistivityand microstructurearegivenbynaalyzingtest results．IthasbeentestifiedthatMogainedbydouble—layersputtering，CIGSgainedatlow sputteringairpressure withsubstrateheatedandthenannealed．n—ZnOgainedwhensputteringpressureisaround3～5Pahaverelatively betterqualityandlowerelectricresistivity． Keywords：solarcell；CuIn(1)GaSe2(CIGS)；sputtering；electricresistivity 0 引 言