晶圆的制程与量测.doc

晶圓的製造 1-1 什麼是晶圓? 台灣目前是世界晶圓代工的重要國家，也是半導體的製造與資訊工業產品生產的大國，晶圓(Wafer)是製造積體電路(Integrated Circuit, IC)的基本材料，通常是由矽(Silicon, Si)或砷化鎵(Gallium Arsenide, GaAs)等半導體(Semiconductor)所組成，目前積體電路產業以矽晶圓為主。 矽晶圓是利用特殊的拉晶(Crystal Pulling)裝置將熔化的純矽，緩慢旋轉逐漸拉升冷卻以獲得單晶(Crystal)結構的晶棒(Ingot)，如圖1所示。矽晶棒再經過研磨、拋光、切片，即成矽晶圓，如圖2所示。矽晶圓的表面光滑明亮如一片圓鏡，需要經過積體電路製造技術在晶圓的表面上製作電路元件，才能成為可用的積體電路，如圖3所示。在矽晶片上加工製作成各種電路元件結構，成為具有特定電性功能的IC產品。台積電、聯電等「晶圓代工」廠，就是取得電子產品設計公司客戶委託的產品製造訂單後，將電子產品的設計圖，透過光罩製作公司轉製在數層光罩上，再以矽晶圓為基材，經過積體電路晶圓生產製造流程，將每一層光罩上的設計圖案轉置在晶圓上，每片晶圓在完成製造程序後，即可在晶圓上形成數百到數千顆相同的積體電路 (IC)小晶片。? 圖1 晶棒 圖2 晶圓片 圖3 矽晶圓與壹圓 圖4 晶片的封裝 為什麼矽晶片是圓的？ 矽晶片的形成是從矽熔爐中，旋轉並緩慢地拉升出圓棒狀的矽晶棒；另外，晶圓外圍的電路圖樣原本就是屬於製造過程中的犧牲品；如果晶圓是四方形的，在處理、運送過程中，邊角上的晶粒反而很容易毀損。因此圓形的晶片是最有效率的面積使用方式。?? 晶圓的尺寸 晶圓的尺寸是以它的直徑來表示，單位是英吋。從早期的3吋、4吋、6吋、8吋，目前半導體廠主力的12吋，和下一代的18吋，它的演進是朝向大尺寸發展，如此才能在製造的過程中有較多的面積可以使用，12吋晶圓的面積約是8吋晶圓的2.25倍，也就是可以得到較多的晶粒，以降低製造的單位成本。 1-2 晶成長製程矽晶的長成，首先需要將純度相當高的矽礦放入熔爐中，並加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的矽晶棒擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化後再長成單晶的矽晶棒。在凝固的過程當中，固體與液體的熔質成分是不同的，在長單晶的時候，的熔質指的就是雜質，雖然晶圓使用的矽純，但是在凝固的過程中，雜質的影響，所以在凝固過程中，對於熔質進入到固體的控制是絕對嚴格。在凝固過程之中固體設定為完全擴散，也就是固體為完全均質，而液體與固體的界面處會因為固體凝固的收縮固體與液體的溫度差而產生所謂的熱對流，這個熱對流將影響到固體中的熔質成分，為了降低影響，能讓液體側的成分能夠均勻所以在液體這邊會施以擾動來降低對流所產生的邊界層(boudary layer)，來讓液體側在拉晶凝固的過程中能保持一樣的成分。Czochralski growth)就是利用這種原理，在液態的矽坩堝讓它有擾動，然後小塊單晶矽當種晶(seed)下降到接觸到液態矽，之後以邊旋轉邊上拉的方式，控制爐溫與上拉的速度，以達到控制長出來的晶圓的直徑。因為是有上拉的動作，拉單晶。晶圓成長的直徑、長度及雜質，都與旋轉的速度與上拉的速度以及爐溫有關聯。晶棒長成製程 熔化（MeltDown） 　　此過程是將置放於石英坩鍋內的塊狀複晶矽加熱製高於攝氏1420度的熔化溫度之上，此階段中最重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來熔化複晶矽，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產能。 頸部成長（Neck Growth） 　　當矽熔漿的溫度穩定之後，將晶種漸漸注入熔液中，接著將晶種往上拉昇，並使直徑縮小到一定，維持此直徑並拉長10-20cm，以消除晶種內的排差。 晶冠成長（Crown Growth） 　　長完頸部後，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。 晶體成長（Body Growth） 　　利用調整拉速與溫度來維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現象產生。 尾部成長（Tail Growth） 當晶體成長到要的長度後，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開。砷化鎵熔液的溫度持續緩慢下降，此時晶體的直徑會逐漸增加，直到成長到所需要的大小為止。 圖6　柴可拉斯基砷化鎵長晶示意圖 1-4 晶棒切片處理晶棒長成，整個晶圓製一半，接下必須晶棒做裁切與檢測，進行外徑研磨、切片等一連串的處理，最後才能成為一片