Toshiba-IEBT浅析.pptVIP

* Copyright 2010, Toshiba Corporation. 大功率半导体 东芝半导体＆存储产品公司 分立半导体事业部 大功率器件工程组 2012年9月 TSBMC-101-- 东芝大功率半导体发展进程 (图表中额定功率释义) 　ETT(电触发式可控硅整流器) ：IT(AV)-Vdrm LTT(光触发式可控硅整流器) ：IT(AV)-Vdrm G T O ：ITGQM-Vdrm GTR/IGBT/PPI ：I c － Vces IGBT/IEGT的额定电压 -V =1700V -FXF =3300V -GXH =4500V PP- =紧压包装 PPI =IEGT/IGBT紧压包装 PMI = IEGT/IGBT塑料外壳组件 1500A2500V 400A300V 1000-EX 200A900V 2000 1990 1980 1970 10K 100K 1M 10M 100M (V A) 1960 ETT LTT GTO PP-GTR IGBT 组件 80A400V 150A1000V 500A2500V 3000A4000V 3000A4000V 2500A6000V 3500A8000V