变温霍尔效应要点.docxVIP

变温霍尔效应实验姓名：李首卿 学号：201311141049【摘要】霍尔效应是指对通电导体或半导体施加一个与电流方向相垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现。霍尔系数及电导率的测量是分析半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。在本实验中，我们采用测量了样品霍尔电压随温度变化的数值，并做出相应的关系曲线。关键词：霍尔效应 霍尔电压 引言对通电导体或半导体施加一个与电流方向相垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。在世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体电子论的发展中，它起着尤为重要的作用。霍尔系数及电导率的测量是分析半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特性，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。实验原理半导体内的载流子：根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离。本征激发：在一定的温度下，由于原子的热运动，价键中的电子还是可能获得足够的能量，摆脱共价键的束缚，成为可以自由运动的电子。这时在原来的共价键上就留下了一个电子空位，邻键上的电子随时可以跳过来填充这个空穴，从而使空位转移到邻键上，因此空位也是可以移动的。这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体不仅靠自由电子导电，而且也靠这种空穴导电。半导体有两种载流子，即电子和空穴。图1本征激发示意图从能带来看，构成共价键的电子也就是填充价带的电子，电子摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程，就是一个电子从价带到导带的量子跃迁的过程。其结果是导带中增加一个电子，而在价带中出现一个空能级。处于导带中的电子，就是导电的电子，而原来填满的价带中出现的空能级，则代表着导电的空穴。当然，空穴的导电性，实质上是反映价带中电子的导电作用。纯净的半导体中费米能级位置和载流子浓度只是由材料本身的本征性质决定的，这种半导体称本征半导体。在本征半导体中的电子-空穴对的产生过程中，每产生一个电子，同时也产生一个空穴，所以，电子和空穴浓度保持相等。杂质电离：绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质，它们在常温下的导电性能，主要由浅杂质决定。当材料硅中掺有Ⅲ族元素杂质，这些杂质原子在晶体中代替一部分硅原子的位置。但是，因为它们外层仅有三个价电子，在与周围硅原子形成共价键时，缺少一个电子，附近硅原子上的价电子，不需要多大能量就会转移到杂质原子周围，来填补这个空位。这样，就在硅原子的价键中产生一个空穴，而杂质原子本身则因接受电子，而变成带负电的离子。从能带角度来看，就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上。使硼原子电离成硼离子，而在价带中留下空穴，参与导电，这种过程称为杂质电离。产生一个空穴所需要的能量为杂质电离能，相应的能级称为受主能级。通常把这种能接受电子变成负离子的杂质称为受主杂质。这种由受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做型半导体。图2 N型半导体和P型半导体能带（左N右P）若其中掺有Ⅴ族元素杂质，那么由于杂质元素外层有五个电子，其中四个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子只受到离子的微弱束缚。摆脱这种束缚，成为晶体中自由运动的电子所需要的能量，比打破共价键所需要的能量要小的多。也就是说，，杂质电离能比禁带宽度小得多，这个杂质能级处于禁带之中，很接近与导带底。具有这种特点的能级称为施主能级。这种杂质称为施主杂质，这种半导体称为型半导体。霍尔效应霍尔效应：霍尔效应是一种电流磁效应，当样品通以电流I，并加以磁场垂直有电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差： (1)与样品厚度成反比，与磁感应强度和电流成正比。比例系数叫做霍尔系数。霍尔电位差是这样产生的：当电流通过样品（假设为P型）时，空穴有一定的漂移速度，垂直磁场对运动电荷产生一个洛伦兹力。洛伦兹力使电荷产生横向偏转。由于样品有边界，所以有些偏转的载流子停在边界积累起来，产生一个横向电场，直到电场对载流子的作用力与磁场作用的洛伦兹力相抵消为止。P型半导体的变温霍尔系数半导体内载流子的产生存在两种不同机制：杂质电离和本征激发。在一般半导体中两种导电机制总是同时起作用。即载流子既可以来自杂质电离，又可来自本征激发，但是要看哪一种占优势而起主导作用。因二者所需要的激发能量不同，取决于所处的温度，因此霍尔系数将随温度变化而变化。霍尔系数和温度的变化曲线有下面四个部分组成，下面具体分析它们的物理意义：图3霍尔系数随温度变化曲线杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变；温度逐渐升高时，价带上的电子开