负性光敏聚酰亚胺的研究进展.pdfVIP

维普资讯 学兔兔 第37卷 第7期 化 工 技 术 与 开 发 Vo1．37 No．7 2008年7月 TechnologyDevelopment of Chemical Industry Ju1．2008 负性光敏聚酰亚胺的研究进展 吕兴军，廖学明，宋 涛，宋志祥，屈秀宁，余万能 (湖北省化学研究院，湖北武汉 430074) 摘 要：综述了负性光敏性聚酰亚胺的研究进展，着重介绍了商业上广泛使用的3种类型的光敏性聚酰亚胺 的优缺点及对其的改性工作，并对这种材料的发展给予了展望。 关键词：聚酰亚胺；光敏性；负性；改性；研究进展 中图分类号：TQ 323．7 文献标识码：A 文章编号：1671．9905(2008)07—0023—05 聚酰亚胺(PI)是含有亚胺基的有机高分子材 物胶留下形成图案的光刻胶。 料，具有良好的热稳定性、化学稳定性、电绝缘性和 1．1 酯型 优良的机械强度等，是新一代集成电路多层布线和 酯型聚酰亚胺光刻胶是由Rubner的方法发展 多片组件的绝缘层、a一粒子阻挡层、电路封装的主要 起来的，作为光刻胶实际上只是聚酰亚胺的前体，就 聚合物 J。但标准的聚酰亚胺不具有感光功能，工 是如图1的由二酐与带光敏性基团的醇反应生成二 艺步骤多，导致产品合格率过低，因此具有既能耐热 酸二酯，然后再酰氯化，最后与二胺反应得到光敏性 又能感光双重功能的光敏性聚酰亚胺应运而生。光 聚酰胺酯[5]5。但在应用中人们发现其有诸如感光 敏性聚酰亚胺(PSPI)与传统的聚酰亚胺(PI)相比， 度低、易吸潮、与基片的粘接性差、收缩率较大、易出 其优点是：聚酰亚胺光刻胶本身既起光刻作用又是 现裂纹、介电常数大和热膨胀系数高等缺点。因此， 介电材料，不需要配合光阻剂便可直接曝光显影，做 目前很多的研究致力于PSPI的改性工作。 成线路图，大大简化了Ic的制程，节约了成本 J，由 0 0 此光敏性聚酰亚胺在微电子工业中越来越受到人们 C C 的青睐。光敏性聚酰亚胺有正负之分，本文主要讨 。 OH 论商业上广泛应用的负性光敏性聚酰亚胺。 C C 0 0 1 商业化的负性光敏性聚酰亚胺种类 及发展 R00C 00OH ————+一 II l 一 一 1971年，贝尔实验室的Kerwin和Gol ck【3 J报 ／ 一 ＼ H0OC 0O0R 道了在聚酰胺酸(PAA)溶液中加入少量的重铬酸 钾，可制成PSPI胶液，但这种胶液的储存期只有4 — 0C ODOR。 ～ 8 h，不可能商业化。1976年，西门子公司的Rub—