模拟电子教程基础第一章.ppt

第一章 半导体器件 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 1.4 场效应晶体管(FET) 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电，又称单极型晶体管。 一、结型场效应管(JFET) 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。 图1.4.1是N沟道结型场效应管的结构示意图，图1.4.2（a）是N沟道结型场效应管的符号。图1.4.1中，在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极G，N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极D，一个称为源极S。P区与N区交界面形成耗尽层，漏极和源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。 注意：箭头指向是PN结的正偏方向 图1.4.1 N沟道结型场效应管的结构示意图 (a)N沟道管 （b）P沟道管 图1.4.2 结型场效应管的符号 (一) 结型场效应管的工作原理 1、当 （即 、 短路）时， 导电沟道的控制作用 图1.4.3 时， 对导电沟道的控制作用 当 且 时，耗尽层很窄，导电沟道很宽，如图1.4.3(a)所示。 当 增大时，耗尽层加宽，沟道变窄（如图1.4.3(b)所示），沟道电阻增大。 当 增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消失（如图1.4.3(c)所示），沟道电阻趋于无穷大，称此时 的值为夹断电压 。 2、当 为 ～0中某一固定值时，对漏极电流的影响。 若 ，则有电流 从漏极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等，而是沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边宽。换言之，靠近漏极一边的导电沟道比靠近源极一边的窄，如图1.4.4(a)所示。 （a） （b） （c） 图1.4.4 且 的情况 因为栅－漏电压 ，所以当 逐渐增大时， 逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。 一旦 的增大使 等于 ，则漏极一边的耗尽层就会出现夹断区，如图1.4.4(b)所示，称 为预夹断。 若 继续增大，则 ，耗尽层闭合部分将沿沟道方向延伸，即夹断区加长，如图1.4.4(c)所示。 因此，当 时，当 增大时 几乎不变，即 几乎仅仅决定于 ，表现出 的恒流性和受控性。 (二) 结型场效应管的特性曲线 1、漏极特性（输出特性曲线） 描述当栅－源电压 为常量时，漏极电流 与漏－源电压 之间的函数关系，即 对应于一个 ，就有一条曲线，因此漏极特性为一族曲线，如图1.4.5（b）所示 （a）转移特性 （b）漏极特性 图1.4.5 结型场效应管的特性曲线 场效应管有三个工作区： (1)可变电阻区：图1.4.5（b）中的虚线为预夹断轨迹，它是各条曲线上使 的点连接而成的。预夹断轨迹的左边区域称为可变电阻区，该区域中曲线近似为不同斜率的直线。 恒流性和受控性 利用场效应管