不同基材上Co掺杂CdSe薄膜电极的制备及光电催化性能.pdfVIP

第 27卷第6期 化学反应T程与T艺 、，ol27．NO6 2011年 l2月 ChemicalReactionEngineeringandTechnology Dec．201l 文章编号：1001—763l(2011)O6一O527-’_o5 不同基材上Co掺杂CdSe薄膜电极的制备 及光电催化性能 赵 洁，姚秉华，张瑞蓉，王 爽，吴 薇 (西安理工大学理学院，陕西 西安710048) 摘要：采用脉冲 电流沉积法制备了负载于氧化锡铡 (ITO)导电玻璃、不锈钢板、镍板矛¨铜扳等不同基材上的 co 掺杂 CdSe薄膜 电极，利刖紫外可见漫反射秆I交流阻抗实验测试 了co掺杂 CdSe薄膜 电极的性能，并以对硝基苯 酚降解来评价该薄膜 的光 电催化性能 结 表明：基材的利t类对co掺杂 CdSe薄膜 电极的性能影响较大，其催化 降解对硝基苯酚的活性由火到小依次为：镍板， 锈钢板，ITO导电玻璃。列硝基笨酚光lb催化降解反应为一级反应， 以ITO导 电玻璃、 锈钢板和镍板为熬材的Co-CdSe{i!i膜光电催化降解对硝基苯酚的发观速率常数分别为0．0442， O．0658和 O2768min。。。 关键词：基材 钴 掺杂 硒化镉 光电催化 中图分类号：TQ032．4 文献标识码：A 自1972年拥有半导体光催化技术以米，光催化氧化技术得到迅速发展，近几。卜年来应用于多种有机 污染物的降解Ⅲ，但在光催化剂使用过 中， 易出现絮凝和同收难的问题。人们为了解决这一问题，将 光催化剂固定于合适的载体或制成光催化膜 [2l。存众多光催化膜中，半导体 CdSe薄膜 以其独特的光学和 电学性质在太阳能电池、生物传感器和光催化等领域得到了广泛的应 [3_4】。人们采川高温热分解法、化 学浴沉积法、微乳液法和 电化学沉积法等在氧化锡铟 (ITO)玻璃、不锈钢板 、镍板和钛板等多种基材上 制备了CdSe薄膜[5-8]。但 目前的研究土要集中于CdSe薄膜的制备和掺杂改性，较少涉及冈基材不同而造 成薄膜性能差异方 的研究。本工作采用脉冲电流沉积法，以ITO导电玻璃、 锈钢板、镍板和铜板等为 基底材料，在平行条件下制 了Co掺杂的CdSe薄膜。利l=_I==l紫外可见．漫反射光谱和交流阻抗实验考察了 不同基材上 Co掺杂 CdSe薄膜的性能，并通过对对硝基苯酚的光电催化降解实验探讨不 基材对光电催 化降解性能的影响，为实际应用提供理论依据。 1实验部分 1．1不同基材Co掺杂的CdSe薄膜电极的制备 将lTO导电玻璃 (6『电阻I5Q)、 锈钢板、镍板不II铜板均裁成2．0curxI．5cm大小，用金相砂纸打磨 至镜面。以丙酮、无水乙醇及_次蒸馏水超声清沈。采川三电极体系，以ITO导电玻璃 (不锈钢板、镍板 或铜板)为_丁作电极，饱和甘汞 电极 (SCE)为参比电极，铂电极为对电极，以0．1mol／Lt]~JCd(NO3)24H2O， 0．05mol／L的SeO2，0．5x10。mol／L的CoCl26H2O和0．1mol／L的EDTA混合的乙二醇溶液为电镀液，所加电压 收稿 日期：2011．O5．26；修订日期：2011．11．29 作者简介l赵 沽 (1981一)．女，博 I研究 ‘ 训!IIIj。E-mail：zhaojie 一 1999@xauteducrl 基金项 目：高等学校博士点学科专项科研基金 (20096Il8Il0008)；陕西省科技厅社发攻关项 目 (2011K170302)；西安理：f大学优秀博士学位论文 研究基金资助项 目 (108211004)；西安理 L‘大学科技创新研究计划资助项 目 (1082ll106) 528 化学反应．[程与：[艺 20l1年 12月 一 1．3V，占 比1：3，循环沉积600周，即得 同基材Co掺杂的CdSe薄膜电极。 1．2交流阻抗实验 采用