二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式_范志新.pdfVIP

24 2 Vol. 24, No. 2 20016 Journal of Electron Devices June, 2001 ¹ 范志新, 陈玖琳, 孙以材 ( 300130) : , , : ; ; : TN304. 2: A: 1005- 9490(2001) 02- 0132- 04 1 ( SnO2) [ 17] 2 , SnO ( ITO) , SnO2 SnO2 , , SnO2 , 2 SnO , - SnO2, V IV VI , ( Sb) ( F) SnO2 , 80%, SnO2 Q 410- 4 8 cm , , , SnO2 , , SnO2 2 , SnO2 (a 4. 738 ~ , c 3. 188 [ 8] ~ ) , 1 63, 6 , + 5 3 Sb ¹ : 2000-01-02 第2 期　　　　　　　范志新, 陈玖琳等: 二氧化锡薄膜的最佳掺 含量理论表达式　　　　　　　　　 133 + 4 , Sn Sn Sb , , 2 , 6 SnO , 8 6 图1　SnO 晶体正四面体金红石结构 2 , , ( 8+ 6 ) 14 , 2/ ( 14+ 1) , , , , 3, 8, 2/ ( 8+ 1) , , , 3 2 Sn Sb O , SnO N N N : n Z + 1 - $E N A n 1 - x e kT x ( 1) 2 Vmol N Sb :Z , 14;x