半导体中载流子的输运现象汇.pptVIP

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS ;第四章 半导体中载流子的输运现象;4.1 载流子的漂移运动与迁移率; 图中截面积为s的均匀样品， 内部电场为|E| ，电子浓度为n。 在其中取相距为 的A和B两 个截面，这两个截面间所围成 的体积中总电子数为 ， 这N个电子经过t时间后都将通过A面，因此按照电流强度的定义 与电流方向垂直的单位面积上所通过的电流强度定义为电流密 度，用J表示，那么 ;已知欧姆定律微分形式为 σ为电导率，单位S/cm。 令 ，称μn为电子迁移率，单位为cm2/V·s。因为电子逆 电场方向运动， 为负，而习惯上迁移率只取正值，即 迁移率μn也就是单位电场强度下电子的平均漂移速度，它的大小 反映了电子在电场作用下运动能力的强弱。 经计算比较可以得到 上式就是电导率与迁移率的关系。电阻率ρ和电导率σ互为倒数， 即σ＝1/ρ，ρ的单位是Ω·cm。;二、半导体的电导率和迁移率; 通常用(Jn)drf和(Jp)drf分别表示电子和空穴漂移电流密度，那 么半导体中的总漂移电流密度为 n型半导体 np p型半导体 pn 本征半导体 n=p=ni ;4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系;因此上述的平均漂移速度 是指在外力和散射的双重作用下，载流子是以一定的平均速度作漂移运动的。 而“自由”载流子也只是在连续的两次散射之间才是“自由”的。 半导体中载流子遭到散射的根本原因在于晶格周期性势场遭到破坏而存在有附加势场。 因此凡是能够导致晶格周期性势场遭到破坏的因素都会引发载流子的散射。;二、半导体中载流子的主要散射机构; 为描述散射作用强弱，引入散射几率P，它定义为单位时间内 一个载流子受到散射的次数。 如果离化的杂质浓度为Ni，电离杂质散射的散射几率Pi与Ni及 其温度的关系为 上式表明： Ni越高，载流子受电离杂质散射的几率越大； 温度升高导致载流子的热运动速度增大，从而更容易掠过电离杂质周围的库仑势场，遭电离杂质散射的几率反而越小。; 说明： 对于经过杂质补偿的n型半导体，在杂质充分电离时，补偿后的有效施主浓度为ND-NA ，导带电子浓度n0=ND-NA； 而电离杂质散射几率Pi中的Ni应为ND+NA，因为此时施主和受主杂质全部电离，分别形成了正电中心和负电中心及其相应的库仑势场，它们都对载流子的散射作出了贡献，这一点与杂质补偿作用是不同的。;2. 晶格振动散射;由N个原胞组成的一块半导体，共有6N个格波，分成六支。 其中频率低的三支称为声学波，三支声学波中包含一支纵声学波和二支横声学波，声学波相邻原子做相位一致的振动。 六支格波中频率高的三支称为光学波，三支光学波中也包括一支纵光学波和二支横光学波，光学波相邻原子之间做相位相反的振动。 波长在几十个原子间距以上的所谓长声学波对散射起主要作用，而长纵声学波散射更重要。;纵声学波相邻原子振动相位一致，结果导致晶格原子分布疏密改变，产生了原子稀疏处体积膨胀、原子紧密处体积压缩的体变。 原子间距的改变会导致禁带宽度产生起伏，使晶格周期性势场被破坏，如图所示。 长纵声学波对导带电子的散射几率Ps与温度的关系为 ;在GaAs等化合物半导体中，组成晶体的两种原子由于负电性不同，价电子在不同原子间有一定转移，As原子带一些负电，Ga原子带一些正电，晶体呈现一定的离子性。 纵光学波是相邻原子相位相反的振动，在GaAs中也就是正负离子的振动位移相反，引起电极化现象，从而产生附加势场。 ;离子晶体中光学波对载流子的散射几率P0为 式中 为纵光学波频率， 是随 变化的函数， 其值为0.6~1。P0与温度的关系主要取决于方括号项，低温下P0较小，温度升高方括号项增大，P0增大。 ;3. 其它因素引起的散射;三、散射几率P与平均自由时间τ间的关系; t=0时所有N0个电子都未遭散射，由上式得到 t时刻尚未遭散射的 电子数 在dt时间内遭到散射的电子数等于N(t)Pdt=N0e-PtPdt，若电子的自 由时间为t，则 即τ和P互为倒数。;四、迁移率、电导率与平均自由时间的关系 ;Si的导带底附近E(k)~k关系是长轴沿100方向的6个旋转椭球等能 面，而Ge的导带底则由4个长轴沿111方向的旋转椭球等能面构 成。若令 ，那么对于Si、Ge晶体 称μc为电导迁移率，mc称为电导有效质量。半导体中电