《半导体表面与界面》1.金属半导体接触能带图.pptxVIP

《半导体表面与界面》 微电子学院 吴振宇 wuzhenyu@xidian.edu.cn;1. 金属半导体接触能带图 2. 金属半导体接触整流理论 3. 表面态对金半接触的影响 4. 少数载流子的注入和欧姆接触;金属由固定的带正电的离子和可以自由运动的带负电的电子气构成。;金属功函数 即E0与EFM能量之差，表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需的最小能量。;电子亲合能：即导带底电子逸出体外所需的最小能量。;金属和n型半导体的接触 （ WmWs ）;金属和半导体表面电荷近似均匀分布。 产生从半导体指向金属的均匀电场，使得金属费米能级升高，半导体费米能级降低。 达到平衡时费米能级统一，此时降落在半导体和金属表面之间的电势差补偿了原费米能级的差异：;电荷绝大部分分布在两个靠近的表面附近。金属自由电子密度高，电荷分布在一个原子薄层；半导体中电荷分布在一定厚度的表面层中，该带电薄层称为空间电荷区。 空间电荷区内，电场从表面到内部逐渐减弱，表面和体内产生相对电势差，能带随之弯曲。常称空间电荷区两端或半导体表面和内部之间的的电势差为表面势。 接触电势差一部分降落在金属和半导体表面之间，另一部分降落在半导体表面的空间电荷区。;此时 因此 从而得到半导体一侧势垒高度： 金属一侧的势垒高度： 取半导体体内作为电势零点，表面势即表面处电势：;金属和n型半导体的接触 （ WmWs ） ;对于金属与n型半导体接触， 若WmWs ： 在半导体表面形成一个正的空间电荷区，电场方向由体内指向表面，Vs0，半导体表面的能量高于体内，能带向上弯曲，即形成表面势垒。 在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高阻的区域，称为阻挡层。 若WmWs ： 电子将从金属流向半导体，在半导体表面形成负的空间电荷区。其中电场方向由表面指向体内, Vs0,能带向下弯曲。 这里电子浓度比体内大得多，因而是一个高电导的区域，称为反阻挡层。 反阻挡层是很薄的高电导层，它对半导体和金属接触电阻的影响是很小的。;金属和p型半导体的接触 （ WmWs ）;金属和p型半导体的接触 （ WmWs ）