《半导体表面与界面》异质结.pdfVIP

下载本文档

669
1
约1.96万字
约 34页
2017-05-14 发布于浙江
举报
版权申诉

《半导体表面与界面》异质结.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第四章异质结  1. 异质结及其能带结构  2. 异质结的电流输运机构  3. 异质结在器件中的应用 1. 异质结及其能带结构 P-n结限制载流子输运能级由p到n向下弯曲内建电场方向由n指向p 势垒高度电子和空穴势垒高度相同无法独立控制 1. 异质结及其能带结构 P-n结限制电荷空间分布无法独立控制 1. 异质结及其能带结构异质结：两种不同晶体结构的半导体材料接触而形成的界面区域。与pn结通过掺杂控制电流不同的是，异质结可通过材料组分改变实现额外控制。形成异质结的两种材料通常有不同的能隙宽度和介电常数。如p-SiGe/n-Si(一般禁带宽度较小的半导体材料放在前面)。按导电类型划分：同型异质结、反型异质结按能带结构划分：突变异质结、缓变异质结（以过渡区域宽度是否远大于原子间距来区分）。 1. 异质结及其能带结构 1. 异质结及其能带结构 AlxGa1-xAs可通过改变组分比例x调节直接带隙值2.79变化到1.51，且与GaAs和 AlAs几乎具有相同的晶格常数。 Al In As 0.48 0.52 Ga In As 0.47 0.53 三元化合物 1. 异质结及其能带结构组分渐变 1. 异质结及其能带结构 0.73~1.35eV Ga In As P x 1-x y 1-y 四元化合物 1. 异质结及其能带结构 1. 异质结及其能带结构按能带对齐方式可将异质结分为三类： I 型( Straddling gap ) 按一种半导体的禁带完全覆盖另一种半导体。能带偏移(band offset)可以表示为： 1. 异质结及其能带结构 II 型( Staggered gap ) InAs半导体的导带底和价带顶分别低于Ga0.6Al0.4Sb半导体对应能级。电子被局限在InAs中，空穴被局限在Ga0.6Al0.4Sb中。 1. 异质结及其能带结构 III 型( Broken gap ) 与II型相同的是： InAs半导体的导带底和价带顶分别低于GaSb半导体对应能级。电子被局限在InAs中，空穴被局限在GaSb中。 1. 异质结及其能带结构 a a f  e s a e