《半导体表面与界面》金属和半导体的接触.pdfVIP

一、金属和半导体的接触  1. 金属半导体接触能带图  2. 金属半导体接触整流理论  3. 表面态对金半接触的影响  4. 少数载流子的注入和欧姆接触 1. 金属半导体接触能带图 金属由固定的带正电的离子和可以自由运动的带负电的电子气构成。 金属中的电子：  在一个能量势阱中运动。  服从Fermi-Dirac分布，基态时电子均处于 Fermi能级以下，费米能级标志基态电子最高能 量水平。  热激发引起部分电子处于费米能级以上，但 由于金属量子态密度非常大，因此可以认为只有 Fermi能级附近的电子参与电导。 金属能级图 1. 金属半导体接触能带图 金属功函数 即E 与E 能量之差，表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内 0 FM 部逸出到真空中所需的最小能量。 = − 0  标志着电子在金属中束缚的强弱，功函数越大，电子越不容易离开金属。  约几个eV量级，随原子序数的增大呈周期性变化规律。 Cu 4.65 eV Au 5.10 eV Ta 4.33 eV Pt 5.36 eV(最高) W 4.55 eV Ti 4.10 eV Ni 5.24 eV Cs 1.93 eV(最低) 1. 金属半导体接触能带图 半导体功函数 即E 与E 能量之差，表示一个起始能量等于费米能级的电子，由半导体 0 FS 内部逸出到真空中所需的最小能量。 = − 0 电子亲合能：即导带底电子逸出体外所需的最小能量。 = 0 − 两者之间满足关系： = + 与金属不同的是，半导体功函数为变量，与掺杂类型 半导体能级图 和掺杂浓度有关。 1. 金属半导体接触能带图 金属和n型半导体的接触 （WmWs ） 金属中电子填充水平较低，半导体中的电子流向金属，半导体带正电，金 属带负电。 1. 金属半导体接触能带图  间距较大时  金属和半导体表面电荷近似均匀分布。  产生从半导体指向金属的均匀电场，使 得金属费米能级升高，半导体费米能级降低。  达到平衡时费米能级统一，此时降落在 半导体和金属表面之间的电势差补偿了原费 米能级的差异： − = − = 这个由于接触而产生的电势差称为接触电势差。 对于本例，符号为负。 1. 金属半导体接触能带图  紧密接触时 电荷绝大部分分布在两个靠近的表面附近。 金属自由电子密度高，电荷分布在一个原 子薄层；半导体中电荷分布在一定厚度的 表面层中，该带电薄层称为空间电荷区。 空间电荷区内，电场从表面到内部逐渐减 弱，表面和体内产生相对电势差，能带随 之弯曲。常称空间电荷区两端或半导体表 面和内部之间的的电势差为表面势。 接触电势差一部分降落在金属和半导体表