《半导体表面与界面》金属- - 绝缘体- - 半导体表面结构.pdfVIP

金属-绝缘体-半导体表面结构  1. MIS结构表面电场效应  1.1热平衡态表面电场效应定性分析  1.2 热平衡态表面电场效应定量分析  2. MIS结构电容-电压特性  3. 非理想因素对MIS结构CV特性的影响 1.1 热平衡态表面电场效应定性分析 采用P型MIS的电容结构来研究表面电场效应。假设金属与半导体间功函数差为 零，且绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态。 MIS结构 MIS结构能级图 1.1 热平衡态表面电场效应定性分析 金属中自由电子密度很高，电荷基本分布在一个 原子层内，半导体载流子浓度较低，电荷必须分 布在一定厚度的表面层即空间电荷区中。 V 0，电容效应使半导体表面堆积正电荷。 G 电场方向由半导体体内部指向表面，表面势V 0， S 表面处电子能量高于体内，能带向上弯曲。随着 向表面接近，价带顶升高接近甚至超过费米能级。 空间电荷分布：绝缘层两侧电荷密度高。 表面层堆积空穴，越靠近表面，空穴浓度越高， 堆积的空穴主要分布在最靠近表面的薄层内。 多子堆积状态 1.1 热平衡态表面电场效应定性分析 V 0，电容效应使半导体表面堆积负电荷。 G 电场方向由半导体表面指向体内，表面势V 0。 S 表面处电子能量低于体内，能带向下弯曲。越 接近表面，价带顶降低远离费米能级。 耗尽：表面层空穴比体内空穴浓度低很多，表 面负电荷浓度基本等于电离受主杂质浓度（耗 尽层近似）。 空间电荷分布：半导体侧低。空间电荷区宽度 随电压变化明显。 多子耗尽状态 1.1 热平衡态表面电场效应定性分析 V 0，电容效应使半导体表面堆积大量 G 负电荷。 此时，表面势进一步增大，表面处能带向 下弯曲程度增大，E 高于E ，表面处电子 F i 浓度开始高于空穴浓度，形成与衬底导电 类型相反的一层，叫做反型层。反型层发 生在近表面处，通常1~10nm左右厚度。 空间电荷区内负电荷由两部分构成：耗尽 层中电离受主负电荷与反型层中的电子。 少子反型状态 1.1 热平衡态表面电场效应定性分析 类似地，对于n型MIS结构： 当金属与半导体之间加正电压时，半导体表面形成电子堆积。 当金属与半导体之间加不太高的负电压时，半导体表面出现电子耗尽。 当金属与半导体之间负电压进一步增大时，半导体表面层形成空穴堆积的反型 层。 由上述分析可知：  表面势、表面电场与外加电压符号一致。 = =  随着表面势的增大，空间电荷区电荷量减小（以p型MIS结构为例：空穴 正电荷电离施主负电荷电离施主负电荷+反型层电子）。 0 1.2 热平衡态表面电场效应定量分析 只考虑热平衡态情况，并假设： (1) 绝缘体内没有电荷而且绝缘层完全不导电。 = − = − 绝缘体中电场均匀。 0 0 (