第六章 金氧半二极体、电晶体及其电性.pptVIP

6.2.1 基本特性 VG VT，源極到汲極間好似二個背對背的pn接面，加一汲極電壓，只有微弱的逆向漏電流。 VG VT，半導體表面產生反轉電子，只要加一點汲極電壓，可使電子由源極流向汲極，產生通道電流ID。 理想狀況下，閘極電壓只控制反轉電子的多寡，不會使電子通過氧化層至閘極端。 很小 * * 平衡狀態：VG=0，VDS=0 * 產生反轉層 能帶圖維持水平 * VG 0，VDS=0 * 線性區 加VDS使得EFn與EFp分開，半導體表面附近的能帶圖彎曲更大，故空乏區寬度越大。 * 小的汲極電壓使得能帶圖變成好似斜坡，電子很容易由S到D，產生電流。 * 飽和區（Saturation region） 當VDS漸增，靠近汲極附近的氧化層所跨的電壓減少，產生反轉電荷的能帶彎曲減少，故反轉電子減少，ID-VDS圖的斜率漸減。 當汲極電壓增加至使跨於汲極端氧化層電壓恰等於VT，此時反轉電子密度為零（稱為夾止)，故ID-VDS圖的斜率變為零，即電流維持不變，達到飽和。 此時 * 飽和區（續） 當汲極電壓大於VDS(sat)反轉電荷為零的點往源極移動，此時電子注入空間電荷區，在藉由電場掃至汲極。 當VDS VDS(sat)，p點的電壓仍為VDS(sat)，故ID維持不變。 電場 * * * MOSFET 理想條件 閘極構造為理想MOS二極體，即沒有介面陷阱、固定氧化物電荷或功函數差。