大尺寸碳化硅SiC 晶体材料项目 - BioSun Talk Traditional.pptVIP

股东投资回收 20X 25X 30X 35X 100% 41% 49% 56% 63% 85% 36% 43% 50% 56% 70% 30% 37% 43% 49% ? 2007 年IPO发行上市, 2006 年税后纯益100万美元 ? Cree 公司股价市盈利 25倍~70倍 合作方式 原料供应商：Cree、青海碳化硅、德国 Lynn、沈阳西科、德国西格里、德国 SGL 等 设备供应商: 上海电炉厂、美国雷塔、 美国DMA 、日本东海、荷兰飞利浦、 英国 Loadpoint 等 测试合作者: 复旦大学、交通大学、中科院微系统所、物理所、硅酸盐所、 西安电子科大等 研发合作者: 国家科技部、中科院半导体所、信息产业部12所、13所、55所等 销售客户群: 美国 C3 香港、美国新泽西大学、美国 Roxwell 大学、台湾连威、 广州元特利、南昌方达、上海广电光讯、山东华光、北大蓝光、 厦门三安、中科院半导体所、厦门大学、四川大学、中科大、 西安电子科大、航天 11 所、信息 13 所、55 所等 合作进度一览表 公司名称 伙伴定位 合作领域 洽谈进度 1、广州元特利 下游单晶客户 华南地区钻石市场 准备签订单 2、美国C3香港 下游单晶客户 中国及东南亚钻石市场 产品认证中 3、上海杰顺 下游单晶客户 华东地区钻石市场 已签MOU 4、武汉华盈 下游单晶客户 华中及华北地区钻石市场 已签MOU 5、美新泽西大学 下游晶片客户 相控阵雷达器件研发 准备签MOU 6、厦门大学 下游晶片客户 合作研发紫外线探测器 准备签MOU 7、信息13所 下游晶片客户 合作研发光电器件 准备签MOU 8、南京55所 下游晶片客户 合作研发微波器件 准备签MOU 9、中国航天11院 下游晶片客户 合作研发高温器件 准备签MOU 10、西安电科大 下游晶片客户 合作研发SiC半导体器件 准备签MOU 11、四川大学 下游晶片客户 合作研发SiC薄膜材料 准备签MOU 12、中科大 下游晶片客户 合作研发SiC薄膜材料 准备签MOU 13、上海交大 晶片测试单位 合作研发SiC晶体表征测试 准备签MOU END 博信生物晶片項目介紹 Proprietary Confidential 大尺寸碳化硅 SiC 晶体材料项目 项目概况 国内外研究现状和生产工艺路线比较 -- 国外研究现状 -- 国内研究现状 -- 生产工艺路线比较 产业现状 市场分析 国家 863 计划对该项目的支持情况 项目知识产权情况 项目发展目标和规划 所需资金分析, 对被引进投资者之要求, 投资回报率 合作方式 项目概况 Si --元素半导体 -- 第一代半导体材料 GaAs、GaP、InP-- III-V族半导体 --第二代半导体材料 SiC、GaN 、 CBN-- 宽带隙半导体（WBS）-- 第三代半导体材料 特点 禁带宽度大、高临界电场、高热导率、高电子迁移速度、 高机械强度、化学性能稳定、抗辐射能力强、热稳定性好 应用 大容量低损耗功率器件、高频高速器件、特殊环境（高温、 高压、高辐射、耐腐蚀）下使用的功率器件、光微电子器件 军事及核能、航空和航天、雷达和通讯、电力及石化、 精密制造及汽车工业、数据存储及照明技术、医疗及宝石业 半导体材料性能参数一览表 6H-SiC 4H-SiC 3C-SiC Si GaAs 禁带宽度（Eg） 3.02eV 3.26 2.40 1.12 1.43 击穿电场（Eb） 2.40MV/cm 2.2 2.5 0.25 0.4 热导率（Hk） 4.9W/cm?K 4.5 4.9 1.5 0.5 饱和速度（Vsat） 2.5×107 cm/s 2.5 2.5 1.0 2.0 电子迁移率（?e） 370a cm2/v?s 700 1000 1350 8500 空穴迁移率（ ?p） 40cm2/v?s 115 101 471 330 载流子浓度（ni） 1.6×10-6/cm3 5×10-9 1.6×10-6 1×1010 1.8×106 介电常数（?r） 9.72 9.70 9.66 11.7 12.8 德拜温度（Kd） 1240℃ 1200 873 300 460 国内外研究现状和生产工艺路线比较 国外研究现状 美国 “ 国防与科学计划 ” – WBS 发展目标 军方资助 Cree Research Inc. 等进行 SiC 单晶片、大尺寸器件 外延片的研制及开发 相关企业及研究机构: Cree , Sterling , II-VI Inc , ATMI, GE, Carnegie Mellon Univ., North Carolina State Uni