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第 一 章 集成电路制造工艺 晶圆制备 1、晶圆制备阶段：矿石到高纯气体（四氯化硅或者三氯硅烷）的转变－气体到多晶的转变－多晶（polysilicon）到单晶、掺杂晶棒的转变－晶棒到晶圆的制备；2、原子在整个材料里重复排列成非常固定的结构，这种材料称为晶体（crystal）；原子没有固定的周期性排列的材料称为非晶体或者无定形（amorphous）；3、晶体里的原子排列为晶胞（unit cell）结构－晶体结构的第一个级别；晶格（lattice）； 硅晶胞具有16个原子排列成金刚石结构，砷化镓晶体具有18个原子的晶胞结构称为闪锌矿结构； 4、当晶胞间整洁而有规则地排列时，第二个级别地结构发生了，这样排列的材料具有单晶结构。单晶材料比多晶材料具有更一致和更可预测的特性，单晶结构允许在半导体里一致和可预测的电子流动；5、晶向（crystal orientation），晶面通过一系列称为密勒指数的三个数字组合来表示，100晶向的晶圆用来制造MOS器件和电路，而111晶向的晶圆用来制造双极型器件和电路。6、把多晶块转变成一个大单晶，給予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。 直拉法CZ：籽晶放肩形成一薄层头部－等径生长－收尾，可形成几英寸长和直径大到12英寸或更多的晶体，200毫米晶圆晶体重约204kg，三天时间生长。高氧含量晶体；液体掩盖直拉法LEC：用来生长砷化镓晶体，由于砷有有挥发性，一是通过给单晶炉加压来抑制砷的挥发，另一个是用一层氧化硼漂浮在熔融物上来抑制砷的挥发；区熔法：不能像直拉法那样生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度，但不需要石英坩埚便会生长出低氧含量的高纯晶体。低氧晶体可用在高功率的晶闸管和整流器上； 7、晶体缺陷：点缺陷（空位）、位错、原生缺陷（滑移、孪晶）8、晶体准备：截断：用锯子截掉头尾；直径滚磨：在一个无中心的滚磨机上进行的机械操作；晶体定向、电导率和电阻率检查；滚磨定向指示：主参考面、第二个参考面； 切片；晶圆划号：使用激光点；磨片：主要目的是去除切片工艺残留的表面损伤；化学机械抛光CMP：制造大直径晶圆的技术之一，化学机械平面化（planarization）；背处理：背损伤、吸杂、背面喷沙、背面多晶层或氮化硅的淀积；双面抛光；边缘倒角和抛光：边缘倒角是使晶圆边缘圆滑的机械工艺； 晶圆评估：直径及公差、厚度、晶体定向、电阻率、Res梯度、氧含量、氧化度、碳含量；氧化；包装；晶圆外延。 芯片制造概述 1、芯片制造的四个阶段：原料制作－单晶生长－晶圆制造、集成电路晶圆的生产(wafer fabrication)－集成电路的封装；2、晶圆术语：器件或叫芯片－Chip、die、device、circuit、microchip、bar街区或锯切线－Scribe lines、saw lines、streets、avenues 工程试验芯片－Engineering die、test die边缘芯片－Edge die晶圆的晶面－Wafer Crystal Plane晶圆切面/凹槽－Wafer flats/notche3、晶圆生产的基础工艺：增层－光刻－掺杂－热处理 4、电路设计：功能电路图（逻辑功能图）－示意图－电路版面设计（复合图composite）5、光刻母版（reticle）和掩膜版：光刻母版是在玻璃或石英板的镀薄膜铬层上生成分层设计电路图的复制图。6、晶圆测试：又称芯片测试（die sort）或晶圆电测（electrical sort） 污染控制 1、半导体器件极易受到多种污染物的损害：微粒、金属离子、化学物质、细菌；微粒：1cm=10000um, 人的头发直径约为100um，微粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10 倍；（1994年SIA将0.18um设计的光刻操作的缺陷密度定为0.06um下的135个）金属离子：可移动离子污染物（MIC），Na是最常见之一；化学品：以氯为代表；2、污染引起的问题：器件工艺良品率、器件性能、器件可靠性；3、污染源：空气、厂务设备、洁净室工作人员、工艺使用水、工艺化学溶液、工艺化学气体、静电； 4、空气a.空气洁净等级标准209E：区域中空气级别数是指在一立方英尺（0.0283立方米）中所含直径为0.5微米或更大的颗粒总数。一般城市空气为500万级；b、净化空气的方法：洁净工作台、隧道型设计、完全洁净室、微局部环境高效颗粒搜集过滤器（HEPA过滤器）、空气层流立式（VLF）工作台、空气层流平行式（HLF）工作台、标准机械接口装置（SMIF）、晶圆隔离技术（WIT）、晶圆盒（POD）；c、温度、湿度