GaN薄膜的制备与历史.docVIP

GaN薄膜的制备与历史 GaN是一种宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3．39eV，具有热导率高、耐高温、耐酸碱、高硬度等特性，是第三代半导体的代表。这些特性使GaN基材料广泛地被用于蓝、绿、紫外发光二极管和激光器，以及高温大功率器件。发光二极管是直接把电能转换成光的半导体器件，同传统的光源相比具有寿命长、可靠性高、低能耗等特点。 由于氮在镓金属中的低溶解度和在氮化镓中的高蒸汽压，因此GaN的体单晶制备是相当困难的。即使在高温(1000一1600℃)、高压(10一20Kbar)的条件下，得到的GaN单晶也只是小尺寸的，无法满足工业化和商业化的需要。当前，GaN薄膜一般都是采用外延生长。外延(epitaxy)是指在晶体衬底上按衬底扩展单晶薄膜的晶体生长方式。按衬底材料和生长的薄膜材料是否为同一物质，分为同质外延(homocpitaxy)和异质外延(heterepitaxy)。同质外延的典型例子就是在硅衬底上沉积硅单晶薄膜。由于许多材料的同质衬底难于制备，异质外延是比同质外延更常用的薄膜生长技术。如AlAs沉积在GaAs衬底上。许多化合物半导体的光电子器件都是基于异质外延薄膜结构的。 1.异质衬底 由于缺少GaN的体单晶，GaN的生长主要在异质衬底上进行。衬底材料的选择主要取决于以下几个方面：(1)结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小；(2)界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强；(3)化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；(4)热学性能好，包括热导性好和热失配度小；(5)导电性好，能制成上下结构；(6)光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小；(7)机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等；(8)价格低廉；(9)大尺寸，一般要求直径不小于2英寸。衬底的选择要同时满足以上的九个方面是非常困难的。目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底的研发和生产。用于GaN研究的衬底材料比较多，如SiC、ZnO、LiAl02，Si等。但是能用于商业化生产的衬底目前只有二种：蓝宝石A1203和碳化硅SiC。 蓝宝石衬底是当前用于GaN生长最普遍的衬底，具有与GaN纤锌矿相同的六方对称性。之所以蓝宝石衬底能被普遍接受，原因是能充分利用它的优点和克服它的不足。优点是，化学稳定性好、易于和清洗、不吸收可见光、价格适中、制备工艺相对成熟。主要缺点之一是，晶格失配度大。比较GaN和A1203的晶格底面，计算的晶格失配度为30％，但实际的晶格失配度要小得多，如图1--3所示，其计算等式如下： 除了蓝宝石衬底外，目前用于GaN生长衬底就是SiC，它在市场上占有率位居第二。SiC衬底是美国的Cmc公司为避开日本的日亚公司的蓝宝石衬底的专利限制，而开发的。SiC衬底具有的优点：化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等。这些优点均是制作氮化镓功率型LED器件所期望的。同蓝宝石衬底相比，其晶格常数和材料的热膨胀系数与GaN材料更为接近，并且解理性好，易于器件的分割。不足方面有：价格高、晶体质量难以达到舢203和硅si那么好、机械加工性能比较差。另外，SiC衬底吸收380nm以下的紫外光，不适合用来研发380nm以下的紫外LED。 2.缓冲层 化学气相沉积(CVD)方法在蓝宝石上制备出GaN的单晶外延薄膜．这种方法具有很高的生长速率(0．5um／min)，沉积的GaN薄膜N型载流子浓度很高。同一时期，发展了金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备GaN：而分子束外延(MBE)生长GaNg始于1981年。由于GaN与蓝宝石衬底之间的晶格失配度大，沉积在上面的Gab]薄膜的质量都很差。。具体表现为，所制各的GaN薄膜的XRD的半峰宽大，表面形貌粗糙，在荧光谱有出现很宽的“黄带”，背景载流子浓度高。Yoshida等人首次用两步法生长6aN单晶，其关键技术是采用低温生长AIN作为缓冲层，大大提高了GaN外延层的质量。 首先，在低温500℃下，在衬底上沉积厚度为几十纳米的AIN，再把温度升至1000C沉积GaN薄膜。AIN缓冲层上生长GaN的过程如下： 1、AIN粒状结晶GaN核的生成： 2、GaN岛状结晶的发生： 3、横向生长以至结合成为整体薄膜： 4、GaN层的生长 由于使用缓冲层，GaN核的生长密度高，在生长初期GaN结晶容易，随后的岛状结晶的结晶方向变化非常小。由于界面自由能比不用缓冲层时Sapphire／GaN的自由能小，GaN岛状结晶横向生长速度快，加快了岛状结晶相互结合。因而在这个过程中引入的大的晶格缺陷少，得到的晶体薄膜质量高。S．Nakamura等人研究发现用GaN作为缓冲层与AIN缓冲层作用相当，只不过GaN缓冲层要薄一些，并迸一步