刻蚀法图形转移技术.pptVIP

* （3）溅射与离子轰击角度有关 离子溅射产额在倾斜角度最大，因此在离子束溅射系统刻蚀中，样品总是倾斜放置的，为了得到均匀溅射，样品架本身除了倾斜之外还绕中心轴旋转 （4）溅射产物会再次沉积到溅射系统的各个部分 样品在刻蚀中倾斜和旋转能够有效清除边壁上的二次沉积层 引入化学活性气体，例如在离子束溅射刻蚀氧化铪（HfO2）中引入CHF3气体。CHF3气体并不能导致溅射刻蚀产物成为挥发性产物，但因引入CHF3气体而产生的溅射刻蚀产物却可以用HCl腐蚀溶解，而HCl对氧化铪结构物任何伤害 * 图 8-6-3 离子束溅射刻蚀中的小面现象 * 8.7 反应气体刻蚀 前面介绍的干法刻蚀都是利用等离子体中的离子，或者直接物理溅射刻蚀，或者化学反应刻蚀。反应气体刻蚀则不需要任何形式的等离子体。利用二氟化氙（XeF2）在气态可以直接与硅生成挥发性产物SiF4，可对硅表面进行各向同性刻蚀 XeF2+Si →2Xe（气态）+SiF4（气态） XeF2在常温常压下成白色固体粉末状态，但蒸汽压很低（约3.3Torr，25 °C），在1～4Torr的低真空下升华为气态。所以，这种气象刻蚀不需要等离子体，只需要一个真空容器和排气系统 * （1）XeF2只对硅起化学腐蚀作用，因此有非常高的抗刻蚀比 （2） XeF2刻蚀硅的速度一般在1～3μm·minˉ1。刻蚀速率与硅的晶向或掺杂无关，刻蚀深度只与时间有关 （3） XeF2刻蚀是完全各向同性刻蚀，而且横向钻蚀(undercut)能力特别强，使之成为清除牺牲层、制作悬挂式微机构的有效方法 （4） XeF2刻蚀的表面非常粗糙，其表面粗糙度可达数微米以上。通过与其他卤素气体的混合使用可以改善表面刻蚀粗糙度，例如将BrF3和ClF3加入到XeF2气氛中能够得到光滑表面 ☆XeF2气相刻蚀硅有以下优点 * ☆供气方式 XeF2气相刻蚀可以通过两种方式实现，一种是脉冲式供气方式，另一种是恒流供气方式。 脉冲式供气方式，首先将样品空间抽真空至20mTorr左右，然后通入XeF2蒸气，待腔体气压达到1.4Torr时关上进气阀，反应20s后，打开抽气阀将真空恢复至20mTorr，然后进行下一周期的进气 恒流供气方法则是利用节流阀将样品空间内的XeF2气压控制在1.4mTorr左右，直到所需要的刻蚀时间达到后关上进气阀 * 表 8-7-1 XeF2对几种常用掩模材料抗刻蚀比 * 图 8-7-1 XeF2的钻蚀作用 * 8.8 其他物理刻蚀技术 除了以上利用离子的物理刻蚀技术之外，一些传统的加工技术如激光加工、电火花加工和喷粉加工也经过改进被用来进行微细加工 8.8.1 激光微加工技术 激光加工已经是一种成熟的加工技术，长期以来广泛用于电子工业和机械制造业，如切割、划片、打孔、打标、焊接、表面处理等、可加工材料包括金属、陶瓷、玻璃、聚合物材料、金刚石或碳化硅等 ☆传统激光加工 * 传统激光加工是一种基于热效应的加工方法，即高能量密度的激光束使工件表面局部升温、熔化至汽化来逐层移走材料，热加工不可避免会带来加工表面和边缘因热灼形成的粗糙不平，对宏观材料来说也许不算什么，但对微加工来说是该技术的一个主要缺陷 基于热效应的激光加工不但加工深度有限制（一般在0.5～1mm左右）加工横向尺寸也有限制，因为激光本身的波长限制了能够得到的分辨率 * 图 8-8-1 激光束在1mm厚镍铁合金上加工制作的25μm的沟槽 * 激光冷加工可以避免因热熔带来的一系列问题，可以实现冷加工的有准分子激光对聚合物材料和某些陶瓷材料的加工 准分子激光加工的短波长光子能量能够引起某些聚合物分子的光化学反应，击断聚合物分子长链，直接生成汽化产物，而不经过热熔阶段，形成一种所谓“激光刻蚀”（ablation)。激光剥蚀在加工表面不引起灼烧现象，可以形成平整的加工表面和边缘 准分子激光器由于波长短，光学分辨率高，因而可以进行高精度微细加工。聚合物材料本身并不是一种用途很广范的功能材料，因此以激光加工形成聚合物结构通常只是作为中间过渡结构，通过电镀将聚合物结构转化为金属结构，这一技术可以成为激光LIGA技术 ☆准分子激光加工 * 图 8-8-2 由准分子激光刻蚀形成的微细结构 * 图 8-8-3 由准分子激光加工光热驱动器 单层高密度聚乙烯（HDPE） （ single-layer high-density polyethylene） 1500μm-length 250 μm-width 40 μm-thickness * 激光加工技术方面的一个令人瞩目的发展是具有飞秒脉宽的蓝宝石激光的应用。飞秒激光的脉冲宽度或每一个脉冲的持续时间在飞秒量级，而传统的脉冲宽度在纳秒量级，飞秒脉冲对材料表面的辐射时间如此之短，以至于激光能量没有时间转化为热量扩散到相邻区