计画名称新型微流量液体感测器的研制（Ⅰ）.PDFVIP

計畫名稱：新型微流量液體感測器的研製（Ⅰ） 計畫編號： NSC 89-2218-E-007-045 執行期限：89/08/01 – 90/07/31 主持人：陳建瑞 國立清華大學材料科學工程學系 教授 On the etching stop investigation, the 一、中文摘要 silicon nitride film grown by PECVD was 本專題研究計畫主要是利用體微加 annealed at various temperatures and tested 工技術，在 N-type矽晶片上製做出隔膜 as an etching stop. Their mechanisms (Diaphragm) ，並於隔膜上利用離子佈植法 were investigated by electron spectroscopy for chemical Analysis (ESCA) and atomic 植入硼以製作壓電阻，壓電阻則佈局成惠 1 force microscopy (AFM). Experimental 司通電橋的形式 。當膈膜受到應力後， results show that the composition of the 壓電阻的阻質產生變化，再加上惠司通電 silicon nitride film did not change after 橋將其訊號放大，藉由量測其輸出電壓的 annealing. The efficiency of the etching 變化，間接可得知所受的壓力大小。 stop depends only on the surface roughness. 在濕式蝕刻阻擋層的研究方面，使 With these investigations, the PECVD所長出來的氮化矽薄膜，經由不 sensitivity of the pressure sensor we have 同溫度的退火，並做蝕刻阻擋測試，利用 fabricated is 55.42 µv/v-mmHg. Electron Spectroscopy for Chemical Keywords: MEMS, piezoresistor, pressure Analysis (ESCA) 與 Atomic Force sensor, sensitivity Microscopy (AFM) 來分析及觀察造成其阻 二、前言 擋蝕刻性質改變的原因。實驗發現經由不 本實驗使用了佈植磷元素的6吋 同溫度的退火，氮化矽的組成方式並不會 雙拋 N-type晶片，其晶向為 100 ，阻 因為退火而改變，蝕刻阻擋層的好壞只與 表面粗造度有密切關係。 值為 1-10 ohm-cm ，厚度為675±25 µm 。 為了製作三維結構的元件，故使 由實驗上的設計，本實驗所製做的壓 用微機電領域中的體微加工技術，利 力感測器其最大靈敏度為 55.42 用單晶矽