第五章 微机原理 内存储器及其管理.ppt

外存平均访问时间ms级 硬盘9~10ms 光盘80~120ms 内存平均访问时间ns级 SRAM Cache1~5ns SDRAM内存7~15ns EDO内存60~80ns EPROM存储器100~400ns 第五章 存储器及其管理 图5-5 DRAM 芯片2164内部结构 SIMM——Single Inline Memory Module 单列直插式内存模块 72线：32位数据、12位行列公用地址、RAS#、CAS#等 在Pentium微型机中必须成对使用 FPM/EDO DRAM内存条的种类 第五章 存储器及其管理 DIMM——Dual Inline Memory Module 双列直插式内存模块 168线：64位数据、14位行列公用地址、RAS#、CAS#等 可单数使用 FPM/EDO/SDRAM 第五章 存储器及其管理 第五章 存储器及其管理 5.3 只读存储器ROM 只读存储器（ROM）是一种只能读出不能写入信息的存储器，所存储的信息可以长久保存，掉电后存储信息仍不会改变。一般存放固定程序，如监控程序、BIOS程序等。 按存储单元的结构和生产工艺的不同，ROM可分成掩膜只读存储器（ROM）、可编程只读存储器（PROM）、光可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（E2PROM）等种类。 第五章 存储器及其管理 5.3.1 掩膜只读存储器ROM 掩膜式ROM中的信息是在生产厂家制造过程中写入的。掩膜ROM制成后，存储的信息就不能再改写了，用户在使用时只能进行读出操作。 5.3.2 可编程只读存储器PROM PROM在出厂时，晶体管阵列的熔丝均为完好状态。编程时，通过字线选中某个晶体管。当写入信息时，可在VCC端加高电平。若某位写“0”，则向相应位线送低电平，此时管子导通，控制电流使该位熔丝烧断，即存入“0”；若某位写“1”，向相应位线送高电平，此时管子截止，使熔丝保持原状，即存入“1”。 第五章 存储器及其管理 5.3.3 可擦除可编程只读存储器EPROM EPROM的特点是：芯片的顶部开有一个圆形的石英窗口，通过紫外线的照射可将片内所存储的原有信息擦除。根据需要可利用EPROM的专用编程器（也称为“烧写器”）对其进行编程，因此这种芯片可反复使用。 常用的EPROM有2716（2K×8位）、2764（8K×8位）、27256（32K×8位）、27512（64K×8位）等典型芯片。 第五章 存储器及其管理 5.3.4 电可擦除可编程只读存储器E2PROM E2PROM是一种新型的ROM器件，也是近年来被广泛应用的一种可用电擦除和编程的只读存储器，其主要特点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不会丢失，它既能象RAM那样随机地进行改写，又能象ROM那样在掉电的情况下非易失地保存数据，可作为系统中可靠保存数据的存储器。其擦写次数可达1万次以上，数据可保存10年以上，使用起来比EPROM要方便的多。 第五章 存储器及其管理 5.3.5 闪速存储器 闪速存储器（Flash Memory）是一种新型的半导体存储器，具有可靠的非易失性、电擦除性及低成本等优点，对于需要实施代码或数据更新的嵌入性应用是一种理想的存储器，而且它在固有性能和成本方面有较明显的优势。 闪速存储器的主要性能特点体现在：可实现大规模电擦除；可高速编程；闪速存储器可重复使用，目前，商品化的闪速存储器已可以做到擦写几十万次以上，读取时间小于90ns，在文件需要经常更新的可重复编程应用中，这一性能是非常重要的。 第五章 存储器及其管理 5.4 半导体存储器与CPU的接口 5.4.1 存储器芯片与CPU连接概述 CPU与存储器的连接就是指地址线、数据线和控制线的连接。CPU对存储器的读写操作首先是向其地址线发出地址信号，然后向控制线发出读写信号，最后在数据线上传送数据信息。每一块存储器芯片的地址线、数据线和控制线都必须和CPU建立正确的连接，才能完成正确的操作。 第五章 存储器及其管理 CPU发出的地址信号必须实现两种选择，首先是对存储器芯片的选择，使相关芯片的片选端CS为有效，这称为片选；然后在选中的芯片内部再选择某一存储单元，这称为字选。片选信号和字选信号均由CPU发出的地址信号经译码电路产生。片选信号由存储器芯片的外部译码电路产生，这是需要自行设计的部分；字选信号由存储器芯片的内部译码电路产生，这部分译码电路不需要用户设计。 第五章 存储器及其管理 1