第一章半导体器件基础教材.pptVIP

二、模拟信号与模拟电路 1. 信号：是反映消息的物理量 三、模拟电子技术基础课程的特点 三、模拟电子技术基础课程的特点 四、如何学习这门课程 五、学习本课程的目的 1. 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 六、考查方法 1. 会看：定性分析 2. 会算：定量计算 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 2. 输出特性曲线 　　当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ IDSS/V iD/mA uDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。 图 1.4.5(b)　漏极特性 输出特性（漏极特性）曲线 夹断区 UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS 图 1.4.5(a)特性曲线测试电路 + ? mA 击穿区 ＊　结型P 沟道的特性曲线 S G D 转移特性曲线 iD UGS（Off） IDSS O uGS 输出特性曲线 iD UGS= 0V + uDS + + o 栅源加正偏电压，(PN结反偏)漏源加反偏电压。 1.4.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 1010 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 图 1.4.7　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 S G D B 1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 2.工作原理分析 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D (2) UDS = 0，0 UGS UGS(th) P 型衬底 N+ N+ B G S D 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。 VGG - - - - - - - - - (3) UDS = 0，UGS ≥ UGS(th) 　　由于吸引了足够多P型衬底的电子， 会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 —— - - - N 型沟道 反型层、N 型导电沟道。 　　　　　　　　　　　　　UGS 升高，N 沟道变宽。因为 UDS = 0 ，所以 ID = 0。 UGS(th) 或UT为开始形成反型层所需的 UGS，称开启电压。 (4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT) 　　导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流 ID 。 b. UDS= UGS – UT， UGD = UT 　　靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。 c. UDS UGS – UT， UGD UT 　　由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变， iD因而基本不变。 a. UDS UGS – UT ，即 UGD = UGS – UDS UT P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 D P型衬底 N+ N+ B G S VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 图 1.4.9　UDS 对导电沟道的影响 (a) UGD UT (b) UGD = UT (c) UGD UT 在UDS UGS – UT时，对应于不同的uGS就有一个确定的iD 。 此时， 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。 3. 特性曲线与电流方程 (a)转移特性 (b)输出特性 UGS UT ，iD = 0； 　　UGS