放电等离子体烧结制备A1N／A1复合材料.pdfVIP

学兔兔 第28卷第6期 粉末冶金技术 Vo1．28，No．6 2010年12月 Powder Metallurgy Technology Dec．20IO 放电等离子体烧结制备A1N／A1复合材料 敦 博 贾 贤 贾成厂一 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083) 摘 要： A1N／A1复合材料是一种高导热复合材料，但现有制备工艺较为复杂。本文采用高能球磨的方式制 备混合粉末，随后采用放电等离子烧结方法成功制备出A1N·20％AI材料。测试结果表明：制备的A1N／A1复 合材料的相对密度大于97％，热导率为52．8W／m·K，烧结温度与传统的A1N相比降低了约200~C。 关键词：导热材料；AIN／A1；复合材料；放电等离子体烧结；高能球磨 AIN／AI composites prepared by spark plasma sintering process Dun Bo，Jia Xian，Jia Chengchang (School of Materials Science and Engineering，USTB，Beijing 100083，China) Abstract：A1N／AI composites are new heat exchange materials，but conventional manufacture process is complex．In the work，A1N-20％ A1 composites were prepared by high energy ball milling and spark plasma sintering．The test results show that the A1N／A1 composites with more than 97％ relative density and thermal conductivity 52．8 W／m · K can be obtained．The sintering temperatue is much lower than conventional AIN sintering． Key words：heat exchange materials；A1N／A1；composites；spark plasma sintering；high energy ball milling 氮化铝陶瓷具有高热导率、高强度、低密度、低 艺制备A1N／A1复合材料的报导。本文在A1N粉中 热膨胀系数等优异性能，是热吸收装置、半导体装 加入适量的Al粉，采用放电等离子烧结的方法对其 置、电路基板、密封装置等设备的关键材料 ，因 进行烧结，制备A1N／AI复合材料，并对烧结温度、保 此，氮化铝陶瓷的研究越来越多的受到关注。由于 温时间、Al的添加量以及不同混粉方式对性能的影 A1N是强共价键化合物，难于烧结，为了获得尽可能 响进行研究。 高致密的烧结体，通常需要添加助烧剂，在1 800oC 以上的高温下保持1～6h，生产效率较低，成本较 1 试验 高，而且长时间的高温烧结过程易导致晶粒过分长 原料 A1N粉体形貌的SEM照片如图 1(a)所 大，可能会造成显微结构不理想，性能下降，即使 示。可以看出颗粒形状不规则，有部分团聚，粒度在 是采用活化烧结，也需要 1 800~C的高温 。