模电课后习题重点.doc

习题： 填空题 1. 半导体的导电能力与 温度 、 光照强度 、 掺杂浓度 和材料性质有关。 2. 利用PN结击穿时的特性可制成 稳压 二极管，利用发光材料可制成 发光 二级管，利用PN结的光敏性可制成 光敏（光电） 二级管。 在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导 体。N型半导体的多子是________；P型半导体的多子是_______。 5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。 6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。 7..晶体管的三个工作区分别为 放大区 、 截止区 和 饱和区 。 8.. 稳压二极管是利用PN结的 反向击穿特性 特性制作的。 9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。 10. 晶体三极管工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电，因此三极管又称为 双极型 晶体管。 11.设晶体管的压降UCE 不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。 12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和 结型 两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为 耗尽型 和 增强型 两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。 13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中 题表2-1 二．选择题 1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。 A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压 2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。 A.开路 B.短路 C.不能确定 3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。 A.增大 B.不变 C.减小 5.工作在放大区的某晶体管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为＿＿C＿＿。 A.83 B.91 C.100 6.当场效应管的漏极直流电流ID从２mA变为４mA时，它的低频跨导gm将 C 。 A、增大　　　B、不变　　　C、减小 7.uGS＝０时，能够工作在恒流区的场效应管有 A　 和 　C 。 A、结型管　　　B、增强型MOS管　　　C、耗尽型MOS管 8.场效应管属于__A____控制型器件，晶体三极管则属于___B___控制器件。 A、电压 B、电流 C、电感 D、电容。 9.测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v、2.3v、12v则三极管三个电极分别 是 C ,该管是 E A、(e b c) B、(b c e) C、(b e c ) D、(pnp) E、(npn) 10.如题图2-1所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为( A )。 A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止 11.在题图2-2示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V， VDZ2的 稳定电压为15V，输出电压UO等于( B )。 A．15V B．9V C．24V 题图2-1 题图2-2 分析题 1. 二极管电路如题图2-3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的等效直流电阻为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是题图2-3的回路电流，即 ==53mA (2) ==13.2 二极管电路如题图2-4所示。 （1