TCO简介.ppt

Contents 沉积时间的影响 衬底温度的影响 溅射功率的影响 功率太高：1) 陶瓷靶脆性大，受到较高能量的氩离子轰击时易开裂； 2) 溅射出来的高能粒子易损害生长的薄膜，使晶体结构发生畸变, 影响薄膜的导电性。 氩气压的影响 气压过低，氩离子少，靶材上溅射出来的原子也少，薄膜薄，另外薄膜上原子相遇成核的几率也小，薄膜晶化率低； 退火的影响 靶基距的影响 TCO膜的陷光结构介绍 TCO膜的陷光结构介绍 AZO制绒的基本原理 TCO绒面结构的影响因素 载流子浓度、迁移率影响因素 载流子浓度 ｛ 本征载流子浓度 杂质载流子浓度 迁移率 散射 禁带宽度、温度 掺杂浓度 杂质浓度 温度 1018～1021cm-3 结晶状态 硅的ni为1010cm-3 声子散射 电离杂质散射 中性杂质散射 电子-电子散射 位错散射 晶界散射 材料兼容性 晶体结构 四、TCO膜性能与表征： 2.方块电阻和膜厚 I W L A T A=WT 电子通过一段长度为L、截面积为A的材料 如左图所示，由电阻的定义式可得： R= ρ L/A= ρ L/WT 当L=W（正方形截面）时： R= ρ /T 这时的电阻为方块电阻（sheet resistance）， 单位：ohm/square。 方块电阻常用于薄膜材料（W,LT）的电性 描述； 四、TCO膜性能与表征： 方块电阻与电阻率：方块电阻的重要作用在于，一般透明导电膜产品的规格是以方块电阻来叙述的,增加膜厚可以降低方块电阻，但膜厚时光线的穿透率会变差。所以要同时获得低方块电阻与高透光率，电阻率应该越低越好。因此，要正确评估透明导电膜的电性好坏，应该看电阻率（能忠实反映材料导电性能的高低），而不是看方块电阻（会受膜厚的影响）。 方块电阻可以用NSPR或Hall测试仪量得，膜厚可以SEM测得，由公式R= ρ /T就可以得到电阻率；载子浓度和载子迁移率可以由Hall测试仪量得。 2.方块电阻和膜厚 四、TCO膜性能与表征： 由于等离子体活性高，在等离子体环境稳定性从薄膜原子间的成键考虑，一方面是结合能，另一方面是原子间距给氢原子提供的穿透能力 TCO膜的稳定性有关的量 1. H等离子体环境 PECVD等离子体能量大约为几个电子伏 四、TCO膜性能与表征： TCO膜的稳定性有关的量 2. 热稳定性 氧化物受热分解的性质叫做氧化物的热稳定性，是氧化物重要性质之一，可以根据氧化物的DfG°进行判断。DfG°??0，表示常温下该氧化物较稳定，DfG°代数值越小越稳定。为了比较氧化物之间热稳定性大小，通常以单质和1?mol?O2(g)反应的DrGm°进行比较。以MxOy代表氧化物，则反应可表示为： (2x/y)M＋O2＝(2/y)MxOy? 如：2Fe＋O2＝2FeO，DrGm°＝2DfG° 由于G的状态函数特性，可以导出由反应物和产物的标准生成Gibbs自由能DfG°计算化学反应标准摩尔Gibbs自由能DrGm°的一般式。对于给定的任一反应：aA＋bB＝gG＋dD其标准摩尔Gibbs自由能DrGm°(298.15?K)可由下式求得： DrGm°(298.15?K)＝[gDfG°(G)＋dDfG°(D)]－[aDfG°(A)＋bDfG°(B)] 四、TCO膜性能与表征： ZnO 2Zn+O2 2ZnO 氧化锌 In2O3 Sn+O2 SnO2 二氧化锡 SnO2 4In+3O2 2In2O3 氧化铟 热稳定性 DfG° 化学方程式 四、TCO膜性能与表征： 掺F的SnO2 掺Al的ZnO 掺Sn的In2O3 定义 FTO膜 AZO膜 ITO膜 常见TCO膜 ITO的导电性能最好，最低电阻率达10-5Ωcm量级，但是In离子在薄膜太阳能电池制作的PEVCD工艺中会被H离子还原，导致光透过率衰减，电性大幅下降，同时In是稀有金属，价格昂贵，所以不太适用于薄膜太阳能电池前电极； FTO是带有雾度的产品，激光刻蚀容易，光学性能适宜等优点，利用这一技术生产的TCO玻璃已经成为薄膜光伏电池的主流产品； AZO目前研究进展迅速，电阻率和光透性都优于FTO，且原料丰富，稳定性好，是未来的发展方向，但目前在制绒方面存在问题，并且长期稳定性问题，暴露在大气中它会吸附氧和水汽，目前工业化应用还不成熟。 五、TCO分类与比较： 图为不同TCO glass的穿透率之间的关系； 结论：NSG的穿透率要比大连AN1