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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 晶体频率决定于晶片厚度，因晶片不能做得很薄，石英晶体谐振器的基波频率只能达到50兆赫，70年代发展起来的离子刻蚀技术能使晶体谐振器的基波频率接近500兆赫。由于成本和工艺问题，但基本没有商用化 工作频率较高的谐振器大多工作于泛音，但泛音次数越高，串、并联谐振频率的间隔越小。 由于外接元件，特别是线圈问题，其泛音频率也只能做到 300兆赫，相对带宽约为0.01％-1％。 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 2) 分立式晶体滤波器 前面分析得知晶体谐振器等效于电感和电容的串并联，多个晶体谐振器按不同的方法组合即可组成滤波器，这就是分立式晶体滤波器。 现在常用的连接方法是差接桥型，在滤波性能上它和格型滤波器等效，但所用的晶体谐振器数目可减少一半。 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 图2a是两节点差接桥型带通晶体滤波器 其阻抗特性及衰减特性如图2（b） 和（c）。 在f1至f3之间,z1和z2的符号相反,又由于变压器次级两端电压的极性相反,两臂中的电流同号相加,所以f1至f3间为滤波器的通频带。 同理,当f＜f1和f＞ f3时,z1和z2同号,两臂电流异号相减;所以f1～f3两侧以外的区域为阻带。 z1＝z2时,输出为零,f、f为无穷大衰减频率。 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 图2a是两节点差接桥型带通晶体滤波器 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 2.6 集成式滤波器原理 1） 单片晶体滤波器 由镀在石英片上若干对电极形成的耦合谐振器组成。图3为其中最简单的2级点单片晶体滤波器电路结构及其等效电路。 输入谐振器随所加信号电压而产生厚度切变振动，晶片因受电极质量负荷的影响，电极区的谐振频率比非电极区的低，使弹性波在两区边界发生反射,从而使绝大部分能量陷落在电极区内,少量泄漏的能量则耦合到与之相邻的谐振器。这样依次相传到输出谐振器，再变为电信号。适当地设计电极尺寸、谐振器间距和频率镀回率，就可以控制弹性波在晶片中的传播，从而实现滤波功能。 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 图3 2级点单片晶体滤波器电路结构 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 2) 串联单片晶体滤波器 由若干用电容耦合的单片晶体滤波器组成（图4）。其优点是利于调整工作频率和抑制寄生频率。 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 3）多片晶体滤波器 由串联的耦合谐振器、并联的单谐振器和电容器组成（图5）。其特点是能在靠近通频带外的频率上形成若干衰减峰，使阻带衰减更陡，有利于抑制干扰和改善滤波性能。 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 2.7 测试方法? 信号源+电平表功能由网络分析仪完成 Ri、R0：仪器内阻：一般为50Ω R1滤波器输入端接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。 R2滤波器输出端接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω 在滤波器条件的匹配阻抗中有时有并接电容要求，应按上图连接。 合理的测量电平；同晶体对激励电平的要求一样，滤波器中其核心元件仍是晶体，因此激励电平在没有规定时，一般选0dB作为输入电平。 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 晶体滤波器测试电路 2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 * 晶体滤波器技术讲座 二、晶体滤波器技术 2.5 应用指南 1）阻抗匹配：性能优良的滤波器在与其端接的电路阻抗不匹配时，滤波特性会变差，引起通带波动增大，插损增加。当外电路阻抗低于滤波器特性阻抗时，中心频率将下移，反之上移。因此使用时必须注意阻抗匹配。 2）良好的屏蔽：对滤波器的输入端和输出端进行良好屏蔽，以使信号源的能量不能直接耦合到负载端。对甚高频以上滤波器，则应使滤波器与仪器间的连接尽量符合同轴线原理。滤波器在线