分立发光中心.pptVIP

1 某些半导体只有通过掺杂才能获得高效发光 （ZnS:Cu) 2 半导体带间跃只能产生一种发光颜色，掺杂可获得多种颜色(ZnS: Re) 发光中心是指半导体中杂质或杂质与缺陷形成的复合体，其中进行辐射复合，产生特征发光。 6.3 过渡金属离子 6.4 稀土离子（4fn） 镧系元素（Ln）{元素周期表中从镧（La）到镥（Lu）的15个元素加上同组（IIIB）的钪（Sc ）和钇（Y）共17 个元素称为稀土元素（RE） 电子组态 镧系元素的电子组态为1s22s22p63s23p63d104s24p64d104fn5s25p65dm6s2 简记为[Xe] 4fn5dm6s2（n=0~14，m=0或1） 三价镧系离子（Ln3+）的电子组态为 1s22s22p63s23p63d104s24p64d104fn5s25p6 简记为： [Xe] 4fn5s25p6（n=0~14） Y2O2S:Eu中Eu3+的4f态和电荷迁移态 电荷迁移态通过无辐射跃迁途径向4f激发态提供粒子，然后由4f的激发态跃迁回基态而发光 稀土离子的4f→5d跃迁和电荷迁移跃迁 4f55d 允许的电偶极跃迁，寿命短 电荷迁移跃迁（CT） 4f→5d跃迁 Sm3+，Eu3+，Tm3+，Yb3+，和Ce4+，Pr4+，Tb4+，Dy4+，Nd4+ Sm2+，Eu2+，Tm2+，Yb2+，和Ce3+，Pr3+，Tb3+ Ce3+在几种晶体中的发光光谱 带谱位置差别很大（晶场劈裂） Eu2+（4f7）在几种晶体中的发光光谱 改变晶格可改变5d的位置 可使Eu2+的发光位置落在从红到蓝的任何位置 如果5d的位置提高，也可能发生4f→4f线谱 在三种不同温度下(Sr,Eu)B4O7的发射光谱 4.2K 35K 110K (Sr,Eu)B4O7Eu2+的位形坐标图 (Sr,Eu)B4O7Eu2+的发射能级寿命 出现4f→5d跃迁发射后，能级的寿命迅速降低 f→d和CTS的规律 电荷迁移带随氧化数增加向低能方向移动， f→d跃迁向高能方向移动 四价镧系离子的最低吸收带为CT，二价镧系离子的最低吸收带为f→d f→d跃迁吸收带半高宽一般较窄，约1000cm-1，CT则一般约为2000cm-1。 容易氧化成+4价的Ce3+，Pr3+，Tb3+的f→d跃迁和容易还原成+2价的Eu3+、Yb3+等离子的CTS跃迁吸收能量都低于40000cm-1，可以与4f能级发生作用导致f-f发射 但f→d跃迁和CT能级若低于4f能级，可以观察到从这些能级的跃迁发射 如Eu2+ 的4fn-15d1→4f7的宽带跃迁发射 6.6 稀土离子的无辐射跃迁 当激发态和基态间的能量差?E等于或小于4~5倍周围环境所能达到的最高振动频率νmax时，激发态的能量同时激发几个高能振动，无辐射地返回基态，进而降低辐射过程 多声子发射 Eu3+ 是否会产生源于5D1的发射取决于晶格 多声子发射可以猝灭高能级的发射 Eu3+ 能级图 Y2O3，有5D1发射 硼酸盐、硅酸盐基质：5D1发射很难检测到 思考题 试用位形坐标模型解释发光材料发射光谱和吸收光谱带宽的成因 用位形坐标模型说明发光材料从吸收到发射循环的全过程，并解释斯托克斯位移的成因 用位形坐标模型解释发光材料的温度猝灭现象 为什么同一种发光中心离子在不同基质中的发光光谱会有所不同？ Eu3+的4f-4f跃迁如何才能有足够的跃迁强度（位置，周围环境的振动两方面） 多声子发射有何规律？ 从Y2O3:Eu3+的吸收光谱说明发光材料是如何吸收能量的 * LOGO * 第6章 分立发光中心 发光中心分类 根据激发的电子 是否进入导带划分 1、分立发光中心——激发的电子不会离开发光中心 2、复合发光中心——激发的电子离开发光中心，进入导带 激发的电子可以不和晶格共有，对晶体的导电性没有贡献 周围晶格离子对发光中心只起次要的、也就是微扰的作用 受到晶格的影响较小（单个离子，如Re3+） 作为发光中心的主要部分，能级结构基本保留自由离子的情况 有的受的影响大一些（离子团，如：WO42-、ZnSiO4:Mn中的Mn2+） 中心的发射光谱和自由离子不一样 在考虑了周围离子的作用后，还能找出对应的关系 电子即使处于激发态，也不会离开中心。 分立发光中心 分立中心特点 复合发光中心 激发后电子就会进入导带 产生光电导 发光的光谱和激活剂的能级结构基本没有什么关系（与激活剂离子的光谱（支）项无关），离子仅起杂质能级的作用 电子和空穴通过这类中心复合发光 发光的光谱主要取决于整个晶体的能谱，杂质起微扰作用 下一章介绍 大多数荧光粉属于分立发光中心发光，分立发光中心离子的种类也很多 6.1、 晶格振动对电子跃迁的影响 发光中心周围离子所产生的静电场，通常称为