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忆阻器的仿真与特性分析 忆阻器的研究背景 忆阻器理论与原理 忆阻器simulink仿真 忆阻器的提出 忆阻器是由加州大学伯克利分校蔡少棠教授 1971 年提出。顾名思义，忆阻器的得名来源于其阻值对所通过的电荷量的依赖性。简单的说，忆阻器的电阻值取决于多少电荷经过了这个器件。也就是说，让电荷以一个方向流过，电阻会增加；如果让电荷以相反的方向流过，电阻就会减小。 这里存在一个明显的问题：就是缺少了一种能够将电荷与磁通量关联起来的电路元件。而这种元件可由电荷和磁通量之间的关系来定义。忆阻器代表了磁通与电荷之间的关系，因而它被认为是电阻、电容、电感之外的第四种基本无源电路元件。 美国惠普实验室研究人员于2008年成功研制了首个能工作的忆阻器 由17条二氧化钛纳米结构（约50nm宽）所制成的忆阻器，中间以导线连接 忆阻器的发展前景 在目前的工艺水平下，基于忆阻器的内存芯片存储密度要比目前基于晶体管的芯片高出至少一个数量级，而且该数值会随着忆阻器技术的更加成熟而进一步提高。此外，该存储芯片的运行速度也非常快，将信息存储在忆阻器内存上的速度比存储在快闪内存上的速度高出 3 个数量级。 忆阻器内存的另一关键性优势是其非易失性，目前广泛使用的 DRAM 上存储的内容会随着时间而丢失，因此必须不断地刷新，在存储器数量庞大的时候会消耗巨大的能量。而忆阻器内存因内部构造的原因，一旦写入可以长期保存，不需要被反复刷新。 忆阻器的潜在应用价值之一是创建计算机系统，通过忆阻器创建的计算机系统可以拥有类似人类的记忆和联想模式。这可以改进模糊识别技术，或者建立更加复杂的生物识别系统，如提升人脸识别技术的准确性，这是传统器件无可比拟的特性。这种模式匹配功能能够应用到机器学习和决策领域，从而进一步提高电气设备的智能化水平。 忆阻器的物理模型 设D为忆阻器的二氧化钛薄膜的厚度，w表示元件的参杂层的厚度，掺杂宽度w 能够随外电场改变。当u 0 时，正向电荷通过忆阻器，w会增大，从而总阻值变小；当u 0 时，反向电流通过忆阻器，因而w减小，总阻值变大。总的来说，宏观上看忆阻器就像是一个滑动变阻器，而其滑片是由流经该忆阻的电荷自动控制的。 忆阻器的记忆机理 图中的 就是一种半导体，具有高阻抗，但可以对它掺杂来降低阻抗。如果一个具有负电荷的氧原子在中被移走，占位后固定在氧原子位置上不会再继续移动，这使得的掺杂层和非掺杂层的界限固定。当再次施加电压时，它将从上次停止位置继续移动，这个特性使得其具备了记忆流过电荷的能力。 忆阻器的数学模型 蔡少棠教授给出的忆阻器数学模型如下 （1） （2） 在上图所示的模型中，掺杂层的厚度w会在电场作用下改变，并依赖于流过忆阻器的电荷数。根据忆阻器内部离子漂移的情况不同，可将忆阻器分为理想忆阻器和实际忆阻器模型。理想忆阻器模型也称为线性离子漂移模型，其阻值为 (3) 其中， x 表示如下 （4） （5） 由此可知，在理想忆阻器模型中，离子漂移呈线性特征。然而，实际的忆阻器由于尺寸微小，在电压作用下易受到电场的影响。这将导致离子漂移产生非线性。这种非线性在忆阻器的边界会更加明显。为了对真实情况进行模拟，需在式右侧乘一个窗函数，可