W9-ch3位错的弹性性质,生成和增值.pptVIP

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W9-ch3位错的弹性性质,生成和增值

* * 点缺陷是热力学稳定的 有变直和缩短长度的趋势。应该有力 * 有可能钉扎 * 两平行的螺刃位错的相互作用不起作用。 * 自己看公式 * 简单讲 * 位错的增殖机制还有,双交滑移、攀移增殖等。 * 双交滑移—形成割阶—钉扎位错—原位错在滑移面上形成F-R源 1、位错的线张力; 2、位错间的交互作用力; 3、位错与点缺陷之间的相互作用; 4、位错的生成与增值:位错密度、弗兰克-瑞德位错源增殖机制。 * * 1、分别属于什么位错? 2、b的大小和方向? * 实际晶体中位错的柏氏矢量 简单立方晶体中 b=u 实际晶体中可能有的位错 单位位错:b=单位u 全位错:b=nu (n为正整数) 不全位错:b≠nu (n为正整数) 部分位错:bu * 滑移后会改变原子排列规律吗? * 实际晶体结构中,位错b应该 结构条件和能量条件,不能是任意的. 位错的能量与谁有关系?|b|2 谁最稳定? 单位位错:b=单位u 全位错:b=nu (n为正整数) 不全位错:b≠nu (n为正整数) 部分位错:bu 单位位错最稳定 b应该连接一个平衡位置到另一个平衡位置 * * 简单立方 a100 |b|=a 3 * * 面心立方 * * 体心立方 * * 密排六方 * 自己从[110]推导一下 * 结构类型 柏氏矢量 方向 |b| 数量 简单立方 a100 100 a 3 面心立方 a/2110 110 6 体心立方 a/2111 111 4 密排六方 a/31120 1120 a 3 * * 实际晶体能量最低的位错--单位位错 大小:单位点阵矢量 方向:密排方向 不全位错与堆垛层错有着密切关系 * * 2. 堆垛层错 * 1)正常堆垛顺序 fcc:{111}, ABCABC… hcp:{0001}, ABABAB… * 正常堆垛顺序遭到破坏和错排,称为堆垛层错 有没有像刃位错一样的点阵畸变? 层错会引起体系能量的升高吗? 破坏了晶体的完整性和正常的周期性,使电子发生反常的衍射效应,故使晶体的能量有所增加,这部分增加的能量称堆垛层错能(J/m2)。 晶体中出现层错的几率与层错能有关,层错能越高则几率越小。 * * 表示方法:△表示正顺序,▽表示相反顺序 面心立方的密排面? ABCABCA △ △ △ △ △ △ 密排六方的密排面?   ABABABA △ ▽ △ ▽ △ ▽ 抽出的表示方法  ↓ 例:ABCBCA △ △ ▽ △ △ ABCBABCA △ △ ▽ ▽ △ △ * * 体心立方里的层错 {110}面和{100}是ABABA结构,可能有层错吗? 但是,{112} 可产生层错。 * * {112}面堆垛的周期 * * 体心立方里的层错 {110}面和{100}是ABABA结构,不产生层错? 但是,{112} 可产生层错。ABCDEFA 层错产生的难易与什么有关系?  层错能高,则难;低则易。 * * 3. 不全位错 堆垛层错不是发生在晶体的整个原子面上,而只是部分区域存在; 在层错与完整晶体的交界处就存在柏氏矢量b不等于点阵矢量的不全位错。 * * 面心立方晶体中: 肖克莱和弗兰克 不全位错。 * 层错终止在晶体内部所形成的边界 1)肖克莱(Shockley)不全位错 ①肖克莱不全位错的形成 原子运动导致局部错排,错排区与完整晶格区的边界线即为肖克莱不全位错。 * (101)面 b=a/6121? 刃位错? * * * * * * 抽出型为负,插入型 为正。 b=a/3111 刃位错不能离开层错面,固定位错,不滑移位错 只能进行攀移 * * 将位错之间的相互转化(分解或合并)称为位错反应。 位错反应能否进行,决定于是否满足如下两个条件:  1).几何条件  2).能量条件:能量降低的过程 * 实际晶体中的位错反应 例题: 1、某晶体中有一条柏氏矢量为a[001]的位错线,位错线的一端露头于晶体表面,另一端与两条位错线相连接,其中一条的柏氏矢量为a/2[111]。 求另一条位错线的柏氏矢量。 2、试说明位错反应 能否进行。 1)汤普森四面体 5、面心立方晶体中的位错 试分析在fcc中,下列反应能否进行?并指出其中3个位错的性质类型?反应后生成的新位错能否在滑移面上运动? 2)扩展位错—一个全位错分解为两个不全位错,中间夹着一个堆垛层错 的整个位错组态 全位错和不全位错的运动 ①扩展位错的宽度 ②扩展位错的束集 ③扩展位错的交滑移 ④位错网络 ⑤面角位错 * 在化工生产中,所处理的物料有很多是流体。根据生产要求,往往需要将这些流体按照

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