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SOI技术课件
SOI技术 SOI技术 SOI是Silicon－on－Insulator的缩写，先在硅晶圆上嵌埋层SiO2绝缘层，然后以此绝缘层作为基底 ，在表面硅层制作晶体管。 主要是利用离子注入等微制造工艺实现。 SOI技术 制造方法 目前制造 SOI晶圆的方法主要有两种，一是注氧隔离法 (SIMOX)；二是智能剥离法 (Smartcut）。 注氧隔离法 (SIMOX) 采用大束流专用氧离子注入机把氧离子注入到硅晶圆中，注入剂量约为 10 18／cm2, 然后在惰性气体中进行≥1 300℃高温退火5 h，从而在硅晶园顶部形成厚度均匀的极薄表面硅层和 SiO2埋层。 注氧隔离法 (SIMOX) 优点——硅薄层和SiO2埋层的厚度可精确控制。 缺点——由于氧注入会引起对硅晶格的破坏，导致硅薄层缺陷密度较高。 智能剥离法 (Smartcut） 利用中等剂量氢离子注入，在 一个硅晶圆中形成气流层，然后在低温下与另一个硅晶圆 (SiO2／Si)键台，再进行热处理使注氢的硅晶圆片从气流层剥离来，最后经 CMP使硅表面层光滑。 该方法克服了注氧隔离法 的缺点。 发展现状和趋势 IBM是SOI技术和应变硅技术的开拓者和应用的佼佼者，其已采用SOI技术量产多种处理器。 至今SOI技术已步入实用化阶段。SOI器件广泛用于高速，低功耗和变高可靠电路，应用领域已从宇航军事、高温和工业转向数字处理，通信、光电子MEMS和消费类电子等 发展现状和趋势 SOI技术是降低晶体管漏电流的有效措施，是推动IC向纳米尺度发展的有效技术。前景一片光明。 应用 超薄SOI技术应用于MOS器件制作，易实现耗尽性器件，适用于高速、低压、低功耗电路。业界已采用超薄SOI晶圆推出0.1 um、 1亿个晶体管的高速CMOS电路。 应用 应变硅SOI技术有效提高了载流子迁移率。世界顶级IC公司此技术应用于65nm/45nm节点技术中。 应用 * * 埋入氧化层 漏极漏电流 P－衬底 *
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