第3章逻辑门电路课案.ppt

第3章 逻辑门电路 3.1 基本逻辑门电路 3.2 CMOS管门电路 3.3 TTL门电路 3.4 CMOS和TTL集成逻辑电路简介 3.1 基本逻辑门电路 3.1.1 二极管门电路 3.1.2 三级管非门电路 3.1.1 二极管门电路 1．二极管的开关特性 在理想情况下，数字电路中的二极管表现为一个受外电压控制的开关，在Proteus中的测试电路如图3.1(a)所示，其伏安特性如图3.1(b)所示同，从图中可见，当电压大于0.7V以后，二极管导通，当电压低于0.7V，二极管截止。通常把0.7V称为硅二极管的开启电压，锗二极管的开启电压约为0.3V。 当外加电压为脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在“开”状态与“关”状态之间转换，也就是当电压大于二极管的开启电压时，二极管导通，相当于开关闭合，如图3.2所示。而当电压低于其开启电压或承受反向电压时，二极管截止，相当于开关断开。 2．二极管与门电路 当门电路的输入与输出量之间能满足“与”逻辑关系时，则称这样的门电路为与门电路。图3.3(a)所示为二极管组成的与门电路，其符号图和真值表请参见第2章。 3．二极管或门电路 当门电路的输入与输出量之间能满足“或”逻辑关系时，则称这样的门电路为或门电路。图3.4(a)所示为二极管组成的或门电路，其符号图和真值表请参见第2章。 3.1.2 三级管非门电路 1．三极管的转移特性 以2N4400三极管为例，可以在Proteus中绘制出相应的测试电路来获得三极管的转移特性曲线如图3.5(a)所示。从图中可见，三级管的工作区域可分截止区、饱和区和放大区三个部分，如图3. 5(b)所示。在数字逻辑电路，三极管通常工作在截止区和饱和区。 2．三极管的非门电路 在三极非门电路的A端加上高电平，三极管饱和导通，输出端F为低电平，当A端为低电平时，三极管截止，输出端F为高电平，用LOGICSTATE作输入，用电压表和LOGICPROBE检测F端的输出如图3.6(b)和(c)所示。 当输入端A与低电平相连，即0V，此时，晶体管截止，IB＝0，IC＝0，输出电压VF=+5V，即输出端F为高电平；当输入端A与高电平相连，即+5V，此时，只要电路参数选择合适，保证晶体管工作在饱和状态，集电极-发射极压降很小，输出电压VF 0.1V，输出端F为低电平。显然，F和A是非逻辑关系,即：F=A。 由于输入与输出电平是反相关系，所以非门也叫反相器，其符号图和真值表请参见第2章。 三极管非门电路的负载有两种，当输出为低电平时，电流是从F端流入三极管，被称为灌电流负载；当输出为高电平时，电流是从F端流出，被称为拉电流负载。门电路可允许流入或流出的电流大小通常用F端可接的门电路个数来衡量，描述灌电流大小的称为扇入系数，描述拉电流大小的称为扇出系数，统称为负载能力，当两者不一致时，用较小者作为实用设计依据。 在某些IC中，为了实现电压的变化，通常将非门输出端中的三极管集电极悬空，从而形成相应的OC(Open Collect)门，如74LS06，此时在应用中必须接外部上拉电阻。 由于三极管是通过空穴和电子两种载流子导电的，所以通常将半导体三极管称为双极型晶体管。 3.2 CMOS管门电路 3.2.1 CMOS反相器 3.2.2 CMOS与非门 3.2.3 CMOS或非门 3.2.4 其它类型CMOS门 MOS管及其分类 MOS管的全称为MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ，即金属氧化物半导体场效应管，它是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流，所以是一种电压控制型器件。由于其制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，而且集成度高、抗干扰能力强，已广泛用于大规模集成电路中。由于MOS管是通过空穴或电子一种载流子（多数载流子）参与导电，所以将MOS管也称为单极型晶体管。 MOS管按导电沟道分有N沟道MOS管和P沟道MOS管两种类型，按工作方式分有增强型和耗尽型两种类型，在数字逻辑电路中大多用的是增强型。N沟道MOS管可简写成NMOSFET，P沟道MOS管可简写成PMOSFET。若同时以互补方式采用这两种MOS管构成逻辑电路，则称其为CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）逻辑电路。 3.2.1 CMOS反相器 MOS管的符号图如图3.7所示，其中g是栅极（gate），s为源极（source），d为漏极（drain），b表示衬底（base），N沟道增强型MOS管箭头由P型衬底指向N型沟道，如图3.7(a)所示， P沟道MOS管，箭头由P型沟道指向N型衬底, 如图3.7(b)所示。在制造过程中，可能将衬底b与源极s相连在一起，所以