集成电子薄膜及应用PPT-08-11.ppt

■.晶粒大小与软磁性能－Herzer模型 ■纳米晶(CoNbZr) 1-xDyx平面单轴各向异性的机理 ■.纳米晶化对CoNbZrDy的影响 ■.氮化FeCo-Al-N纳米颗粒薄膜的磁电性能  ■晶粒大小和粗糙度: 4.薄膜电感、薄膜变压器及应用 ■应用磁悬浮陀螺中薄膜电感 ■.自由层对自旋阀性能的影响 ■自旋阀单条传感器的测试 3、基于自旋阀传感器的磁编码器系统 ■电机控制 DAC0H=(uchar)((uint)(motor*41)8); DAC0L=(uint)(motor*41)0x00ff; 设置电机待转换的值并启动D/A转换*/ 转换得到的DAC1,经过OP07放大，TIP127作为直流电机的供电电流。 4. 3×3 阵列MRAM存储器 The main Applications Magneto-optical Microwave devices THz applications （a）微波性能--FMR （b）磁性能分析 （a）增大法拉第效应 （c）磁光法拉第效应及光吸收性能 应用领域： 基于介电非线性铁电薄膜的可变电容、介质移相器等可调微波器件，可应用于相控阵雷达T/R组件、智能射频前端、可调匹配网络等模块的相位延迟和调频元件，具有高响应速度、高品质因子、工作频率高、无功耗、可集成等优点 有效面积： 4*4 ~ 200*200 um2 安装尺寸： 1206 (3 X 1.5 mm) 电容值：2-100PF 　 九.功率电阻薄膜及应用 TaN薄膜特性 电阻温度系数-20ppm/℃≤TCR≤﹢20ppm/℃（-55~125℃） 集成薄膜方阻20Ω/sq≤Rsq≤150Ω/sq 薄膜功率电阻主要起阻抗匹配和系统保护的作用 （功率负载、衰减器、功分器等） 100W，DC-6.2GHz 300W，DC-1.5GHz 500W，DC-2GHz 800W，DC-1GHz 20W，DC-18GHz 5W，32-37GHz 　十.表声波ZnO多层膜及应用 压电薄膜层 金刚石层 硅衬底层 瑞利波 单晶压电材料v0一般小于4 km/s，金刚石多层薄膜结构则可以达到10 km/s以上 ZnO/金刚石/Si结构图 由材料的特性来决定 由IDT指条的宽度来决定 过小的线宽将会增加工艺难度，器件的承载功率也会降低 技术指标： 频率：2-3GHz(叉指宽度0.5-2.0?m可调），插损：10dB 应用领域： 移动与无绳电话系统、卫星通讯及定位（GPS）系统、通讯侦察压缩接收机、电子侦察用信道化接收机、导航系统等 　十一.体声波AlN薄膜及应用 AlN薄膜用途： 用于制备易集成、宽带、低损耗、承受大功率的小型化滤波器 特点： 高c轴取向，高机电耦合系数，低应力，低温制备，与IC工艺兼容 5 表面粗糙度（nm） 10 晶粒尺寸（nm） 性能指标 指标名称 -20 温度系数（ppm/℃） 11.8 声速（km/s） 2-3 厚度（μm） 110 表面阻抗（Ω） 1.6 机电耦合系数（%） 薄膜体声波谐振器FBAR谐振单元 滤波器材料 应用情况： 研制的微波单片集成用滤波器材料用于制备易集成、宽带、降损耗、承受大功率的小型化可集成滤波器 使军用电子信息系统的小型可集成能力上一个台阶，有效地减小系统的体积，提高军用信息系统的安全性和可靠性 　十二.柔性应变敏感薄膜及应用 特点：柔性、高灵敏度 应用：应力/应变传感器、加速度传感器等 FeCoSiB/Cu/FeCoSiB /有机衬底 (a)滤除偶次谐波原理图 (b)磁阻条的分布示意图 2、自旋阀传感器的设计与制备 ■基于自旋阀薄膜的单条传感器、三端传感器和惠斯顿桥传感器 的原理、原型设计和版图设计、微细加工和性能测试。 (c) 单条传感器的版图 (d)显微照片 λ为磁鼓的充磁间距 单条传感器的磁场响应曲线 (a)大磁场范围；(b)小磁场范围 自旋阀传感器 实物图 ■自旋阀传感器的改进设计 改进的自旋阀三端传感器的(a)版图单元(b)局部显微照片 表改进的自旋阀三端传感器磁场响应的测试结果 28 237.5 32.45 0.113 3.66% 33 5.73 1000 10 Hset Hex(Oe) Hc(Oe) S(%/Oe) GMR(%) Hrange(Oe) R(k?) l(μm) w(μm) 1 磁编码器的结构 2 磁编码器的信号处理电路设计 3 基于制备的自旋阀器件的测试与分析 磁编码器结构示意图 ■磁编码器结构 可测试的自旋阀传感器 充磁夹具 充磁磁鼓 信号处理电路的实物图 ■信号处理电路 Motor MRAM存储