第9章 光电器件03.ppt

第9章 光电器件 半导体器件物理 第9章 光电器件 Semiconductor Physics and Devices 半导体器件物理 第9章 光电器件 * 半导体激光和固态红宝石激光及氦氖气体激光比较： 共性：方向性很强的单色光束，谱线较LED的窄。 不同之处：半导体激光较其他激光体积小（长度~0.1mm）；在高频时易于调制，只需要调节偏压电流即可。 应用： 光纤通信中的光源，录像机、光学刻录机及高速激光打印机等。 基础研究与技术领域，高分辨率气体光谱学及大气污染监测等。 都具有直接禁带：动量守恒，辐射性跃迁几率较高，量子效率高。 波长涵盖范围：0.3μm~30μm。 砷化镓最先被发现可发出激光，相关连的Ⅲ-V族化合物合金。 激光半导体材料 9.3 半导体激光 第9章 光电器件 * 图(a)为基本p-n结激光（同质结激光），GaAs。沿着垂直于110轴方向劈成一对平行面，外加适当偏压时，激光就从这些平面发射出来（图中仅示出前半面的发射）。 二极管另外两侧加以粗糙化，以消除激光从这两侧射出的机会，此结构称法布里-波罗腔，典型腔长L约300μm，法布里-波罗腔结构广泛用在近代半导体激光器中。 基本的激光器结构 第9章 光电器件 * 图(b)是双异质结构（DH）激光，结构类似于三明治。有一层很薄的半导体（如GaAs）被另一种不同半导体（如AlxGa1-xAs）所包夹。 图(a)及图(b)所示结构为大面积激光，因为沿着结的整个区域皆可发出激光。 图(c)是长条形DH激光，除长条接触区域外，皆由氧化层绝缘隔离，所以激光发射的区域就约束在长条状接触下面的狭窄范围。典型条状区宽度s约5~30μm。优点：低工作电流、消除沿着结处的多重发射区域、因除掉大部分结周围区域而提高可靠度。 第9章 光电器件 * 光探测器：光的信号转换为电的信号。 光探测器的工作包括三个步骤： ①由入射光产生载流子； ②通过任何可行的电流增益机制，使载流子传导及倍增； ③电流与外部电路相互作用，以提供输出信号。 应用：光隔离器的红外传感器以及光纤通信的探测器。 器件要求：在工作波长中具有高灵敏度、高响应速度及低噪声；轻薄短小、低电压或低电流，高可靠度。 9.4 光探测器 第9章 光电器件 * 光照下电导率的增加主要由于载流子数目的增加而引起的。 本征光敏电阻的长截止波长由λc=1.24/Eg决定。 非本征光敏电阻，能带边缘及禁带内的能级之间也会产生光激发。此情况下，长截止波长则决定于禁带能级的深度。 本征光敏电阻中，电导率为 光敏电阻 光敏电阻包含一个半导体平板，且在平板两端具有欧姆接触，如图。当入射光照到光敏电阻表面时，发生本征或非本征跃迁，从而产生电子-空穴对，导致电导率增加。 第9章 光电器件 * 光电二极管工作于反向偏压的p-n结或金属-半导体接触。 由光产生的电子-空穴对在耗尽区内建电场作用下分离，因此有电流流至外部电路。 为了能在高频下工作，耗尽区必须尽可能地变薄以减少渡越时间； 为了增加量子效率，耗尽层必须足够厚，以使大部分入射光都被吸收； 因此，在响应速度与量子效率之间必须有所取舍。 光电二极管 第9章 光电器件 * 一、量子效率η ：每个入射光子所产生的电子-空穴对数目。 决定η的重要因素之一是吸收系数α。因为α和λ有强烈的依赖关系，能产生可观的光电流的波长范围是有限的。 长截止波长λc是由禁带宽度决定的，当λλc时，α值太小，以致无法造成明显的本征吸收。 短截止波长，由于短波长的α值很大（约105cm-1），大部分的辐射在表面附近就被吸收，且其复合时间甚小，导致光载流子在被p-n结收集以前就会发生复合。 第9章 光电器件 * 响应速度受到三个因素的限制： ①载流子的扩散，②耗尽区内的漂移时间，③耗尽区的电容。 二、响应速度 在耗尽区外产生的载流子会扩散到结，造成相当大的时间延迟。为了将扩散效应降到最小，结必须非常接近表面。 耗尽区足够宽，绝大部分的光线都会被吸收；但耗尽区不能太宽，因为渡越时间效应会限制频率响应。 耗尽区也不能太薄，因为过大的电容C会造成大的RC时间常数（R是负载电阻）。 最理想的折衷办法是选择一个宽度，使耗尽层渡越时间大约为调制周期的一半。 第9章 光电器件 * p-i-n光电二极管 p-i-n光电二极管是最常用的光探测器之一，其耗尽区厚度（本征层）可调，用以优化量子效率及频率响应。 图(a)是p-i-n光电二极管的截面图，它具有抗反射层以增加量子效率的特性。 图(b)是反偏时，p-i-n二极管的能带图。 图(c)是反偏时，p-i-n二极管的光吸收特性。 金属接触 2 SiO 抗反射层 i + n + p L R R V + - i + n + p L R V + - hv R qV C E