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离子束反应溅射沉积SiO2薄膜的光学特性_米高园
32 2 Vol.32 No.2
20113 Journal of Applied Optics M ar.2011
:1002-2082(2011)02-0236-05
SiO2
1 1 1 2 2 2
米高园, 朱 昌 , 戚云娟 , 达斯坦科 , 格拉索夫, 扎瓦斯基
(1. , 710032;2., 220013)
摘 要:主要研究采用离子束反应 射(RI S )制备SiO2 薄膜的折射率、消光系数、化学计量比
与氧气在氩氧混合工作气体中含量及其沉积速率的关系。研究结果表明:RI S 制备的SiO2 薄
-5
膜在0.63 μm 处折射率n=1.48,消光系数小于10 ;随着沉积速率的增加, 薄膜的折射率和消
光系数随之变大,当沉积速率超过0.3 nm/s, 即使是在纯氧环境 射, 折射率值也不低于1.5;通
过对红外透射光谱的主吸收峰位置研究得到沉积的SiO2 薄膜为缺氧型, 化学计量比不超过
1.8,且红外吸收峰位置和SiO2 折射率存在对应关系, 因此在不加热衬底情况下使用RI S 制备
SiO2 薄膜时, 会限制沉积速率的提高。
关键词:氧化硅;反应离子束 射;光学常数;沉积速率
:TN305.92;O484.4 :A
Optical properties of silicon oxide thin films deposited by reactive
ion-beam sputtering method
1 1 1
MI Gao-yuan , ZH U Chang , QI Yun-juan ,
2 2 2
DOSTANKO A P , GOLOSOV D A , ZAVATSKIY S M
(1.Xian Technological University, Xi an 710032, China;
2.elarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk 220013, elarus)
Abstract:Silicon oxide thin films deposited by reactive ion-beam sputtering (RI S)of Si targets
in Ar/O2 producer gas mixturewere investigated.The refractive index n, extinction coefficient
k, and stoichiometry were dependent on the oxygen concentration in Ar/O2 producer gas
mixture and the deposition rate.Silicon oxide films with refractive index of n =1.48 and
-5
extinction coefficient of less than 10 were deposited with the RI S m
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