微功耗磁性元件、低功耗霍尔开关DH211X.pdf

型号：DH211X 超低功耗全极磁开关 产品特性 典型应用  隧道磁电阻 (TMR) 技术  流量计，包括水表、气表和热量表  1.5 微安超低功耗  接近开关  高频率响应可达1kHz  速度检测  全极磁开关  线性及旋转位置检测  高灵敏度，低开关点  宽工作电压范围  卓越的温度稳定性  优越的抗外磁场性能 概述 DH211X MMS2X1H 是一款集成了隧道磁阻 （TMR ）传感器和CMOS 技术，为高灵敏度、高速、 低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。DH211X 采用高精度推挽式半桥 TMR 磁传感 器和CMOS 集成电路，包括TMR 电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS 输出电路， DH211X 通过内部电压稳压器来提供温度 能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。 补偿电源，并允许宽的工作电压范围。DH211X 以低电压工作、1 微安级的供电电流、极 高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理 想选择。DH211X 采用两种封装形式：SOT23-3 和 TO-92S 功能框图 网址： 电话：0755 地址：深圳市龙岗区龙河路十巷十一号 1 of 5 管脚定义 TO-92S SOT23-3 序号 管脚名 功能 TO-92S SOT23-3 VOUT 1 2 输出 GND 2 3 地 VCC 3 1 电源 极限参数 参数 符号 最大额定值 单位 工作电压 VCC 7 V 反向供电电压 VRCC 0.3 V 输出电流 IOUTSINK 9 mA 外加磁场 B 2800 G ESD 性能(HBM) VESD 2 kV 使用温度 TA -40 ~ 125 °C 储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C 性能参数 (VCC = 3.0V, TA = 25°C) 参数 符号 条件 最小值