掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光.pdf

　第 20 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 1　 V o l N o 　1999 年 1 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Jan 掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光 雷红兵　杨沁清　朱家廉　王红杰　高俊华　王启明 (集成光电子国家开放实验室　中国科学院半导体研究所　北京　100083) ( ) 摘要　 本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性. 富硅氧化硅薄膜 氧含量为 60% 采用 方法生长, 室温下离子注入铒, 经过 800℃, 5 的退火, 在 10～ 300 温度下得到较 PECVD m in K 强的波长 154 光致发光. 发光强度随温度升高而下降, 其温度猝灭激活能为 143 . 发 m m eV 光谱表明富硅氧化硅中 发光中心仍具有 对称性. E r O T d PACC: 7855, 6170T , 7170 1　引言 越来越多的研究工作近来集中到硅基的光电集成上, 在芯片间的光互连、并行处理以及 硅片的光集成上, 硅基光电集成技术都具有重要的意义. 前两种应用的前提是需要一个能工 ( ) 作在 77K 以上的硅基光源和光探测器, 而后一种应用要求一种特定波长 如 154m 的光 源. 其波长恰好落在石英光纤的最低损耗区. 1983 年, Ennen 等提出了稀土离子在半导体材 料L ED 和LD 上的潜在应用. 特别是 E r3+ 发出的 154m 光, 最具诱人前景. E r3+ 自旋轨 道耦合分裂能级4 4 I132 I152 之间的光跃迁, 其波长与基质材料无关. 并且由于发光是由于 4f 层电子内部之间的跃迁, 温度对发光波长的影响不大. 因此人们自然希望硅掺铒能够做到室 [ 1～ 5 ] 温发光, 达到应用的程度 . 为增强 的发光, 人们在硅基质中同时掺入了 和 、 等轻元素杂质, 经过热退火 E r E r O N [ 2 ] 处理, 、 等原子聚集到铒离子周围以便于形成 或 复合体发光中心 . 同时又