第二章bjt的直流特性25-26.pptVIP

2.6直流参数和基极电阻 集电结是扩散结，所以可以用单扩散结击穿电压的公式来计算BVCBO： 　　单边突变结 　　线性缓变结 不能近似为单边突变结或线性缓变结，就需要查计算曲线 3.BVCEO 基极开路，集电极和发射极击穿电压 测量状态： BJT的工作状态？正向有源区 2.6直流参数和基极电阻 BVCEO击穿条件的分析 集电极电流： αF－正偏发射结注入到基区，并被集电极收集到的电子电流 ICBO－反偏集电结空间电荷区产生流 增大反偏电压，直到出现雪崩效应，这两股电流都将引起雪崩倍增 　M：倍增系数 测量条件是基极开路，IB＝0，IC＝－IE，那么 BVCEO的击穿条件是 因为αF≤1，所以只要M略大于1，就能击穿。 一般的PN结击穿，条件是M－＞∞，所以对同一器件有 2.6直流参数和基极电阻 测量BVCBO时，通常观察到负阻现象 负阻现象产生机构分析： 刚开始击穿时，电流增益αF很小 击穿时 由倍增系数M与外加电压的对应关系，得出VCE将减小的结论 2.6直流参数和基极电阻 利用公式进行分析， 计算　　，此值先正后负 4.基区穿通 所谓基区穿通，是指在基极开路条件下，增加集电极－发射极的反向偏压VCE，在集电结发生雪崩之前，空间电荷区已经扩展到整个基区，使集电结和发射结之间发生穿通 定义　基区穿通电压－VPT 　　　　VCE＝VPT时，空间空间电荷区扩展到整个基区 当外加电压VCE再有微小增加时，就会使势垒明显降低，电流急剧增大　 2.6直流参数和基极电阻 基区穿通时，有 其中(a)平衡态时npn晶体管的能带图 　（b)BC反偏时的能带图，VR1是没有发生穿通；VR2是发生穿通情况 容易发生基区穿通的器件 低掺杂的薄基区BJT（例IC中的横向pnp) 发射极有缺陷的BJT 2.6直流参数和基极电阻 2.6.3 饱和压降 1.定义： npn-BJT:饱和区工作的VCE pnp-BJT:饱和区工作的VEC 饱和压降对电路的影响 开关电路：输出低电平VOL，开关功耗，开关时间的长短 放大电路：限制了动态工作范围；导致失真；限制了输出功率 要求饱和压降越小越好 2.计算 BJT工作在饱和区， 发射结和集电结均正偏 2.6直流参数和基极电阻 本征饱和电压降的计算： 利用EM方程进行推导 利用互易关系以及正常工作电流范围内 结论： 举例：已知BJT，βF＝100　βR＝2，IC/IB=50.求出本征饱和电压降 一般BJT的饱和压降为　 2.6直流参数和基极电阻 饱和压降中 发射区高掺杂，|IE|rES可忽略 |IC|rCS＝0.2~0.3V ，所占比例最大 所以，降低饱和压降的方法是尽可能减小集电区串联电阻 2.6.4基极电阻 1.定义 基极电流在基区流动，在基区中将产生电压降 基区提供的电阻称为基极电阻rb 2.6直流参数和基极电阻 2.划分 平面型BJT的基极电阻是由4个串联电阻构成 3.计算 内基区电阻rb1 用等功率法，计算出功耗　 2.5大电流和基区宽度调变效应 2.弱场情形 弱场情形下有效基区扩展效应的产生机构是N-区的欧姆电阻 其中rcs代表N-区串联电阻，在VCB不变条件下，增大IC，就有可能出现Icrcs≥VCB的工作状态 此时，VJC≥0，VBC0，这种工作状态称为准饱和状态 PN-结将处于正偏状态，那么P型基区将向N-集电区注入空穴，使N-区空间电荷区边界出现过剩空穴 由于N-区掺杂浓度很低，nnc0很小，在不太高的VJC下，N-区能进入大注入工作状态，N-空间电荷区边界会积累大量的过剩空穴 2.5大电流和基区宽度调变效应 同时为了维持N-区的准电中性，还会 积累数量相同的过剩电子 进入大注入工作状态的N-区出现明显 的电导调制，使这个区域的电导率明 显增加 PN-结势垒边界~WCIB：电导调制区 WCIB~Wc:欧姆导电区 中性电导调制区与有效基区的特性类似，所以这段区域称为电流感应基区 如果忽略正偏PN-集电结空间电荷区在N-的一侧宽度，那么电流感应基区的宽度就是图中的WCIB 求电流感应基区WCIB 2.5大电流和基区宽度调变效应 由于欧姆导电区的电导率远低于电流感应基区，可以认为VCB大部分降低在欧姆导电区： 欧姆定律： 电流感应基区宽度： 求临界电流J2： J2是进入准饱和工作电流的临界电流 临界状态VJC=0，那么利用欧姆定律有 临界电流 3.临界电压 问题：在给定的VCB条件下，哪种效应起作用？ 2.5大电流和基区宽度调变效应 在给定的VCB条件下，比较临界电流J1和J2的大小。 临界电流密度： 曲线部分：强场迁移率调制效应 临界电压VCBC：J1~VCB和J2~VCB 交点 VCB